wersja mobilna
Online: 429 Piątek, 2017.12.15

Biznes

Samsung zwiększy produkcję DDR3

poniedziałek, 12 października 2009 11:39

Samsung Electronics zapowiedziało zwiększenie produkcji pamięci DDR3 i większe użycie procesów technologicznych w wymiarze 40nm, aby, jak przekonują przedstawiciele firmy, sprostać wzrostowi popytu ze strony producentów komputerów i elektroniki w nadchodzących miesiącach.

Według nich, braki tych elementów na rynku powinny zakończyć się w niedługim okresie czasu. Nie wiadomo czy sytuacja ta odbija się na cenach pamięci DRAM, które nieustannie wzrastają od kwietnia. 

Wyrażając się o ogólnej sytuacji na rynku, według przedstawicieli Samsunga, branża półprzewodników radzi sobie coraz lepiej a spadki wywołane kryzysem były mniejsze niż się spodziewano, w głównej mierze w wyniku działań poszczególnych rządów w postaci pakietów stymulacyjnych. Niemniej jednak, przestrzegają przed zbytnią pewnością, co do dalszej koniunktury, jako że sytuacja na rynku nadal jest nieprzewidywalna.

 

World News 24h

czwartek, 14 grudnia 2017 20:00

GlobalFoundries unveiled details of its 7nm process which promises a significant increase in density, performance and efficiency in comparison to the 14nm technology used to manufacture AMD processors, IBM Power server chips and other products. GlobalFoundries will start 7nm production using current lithography tools, though it plans to quickly move to next-generation EUV lithography to cut costs. Based on GlobalFoundries latest generation of 3D or FinFET transistors, the 7LP process has a fin pitch of 30nm, gate pitch of 56nm and a minimum metal pitch of 40nm - all of which are "significantly scaled from 14nm." GlobalFoundries said it tuned the fin shape and profile for best performance, but did not provide measurements for the width or height of the fins.

więcej na: www.zdnet.com

Produkty