Komponenty GaN RF stają się poważną konkurencją dla tranzystorów krzemowych LDMOS i GaAs
Półprzewodniki z azotku galu (GaN) do zastosowań w aplikacjach w.cz. dużej mocy zapewniają małe wymiary urządzeń i dużą sprawność. Dobre parametry takich przyrządów półprzewodnikowych ...