Tranzystory MOSFET 600 V o krótkim czasie regeneracji

Firma STMicroelectronics powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o nową serię 600-woltowych tranzystorów MDmesh DM6 przeznaczonych do zastosowań w przetwornicach napięcia ZVS i aplikacjach impulsowych, w których występują szybkie impulsy napięciowe. Są to tranzystory superzłączowe o zredukowanym czasie regeneracji (trr), pozwalające na zminimalizowanie strat mocy podczas wyłączania.

Ponadto, charakteryzują się bardzo małym ładunkiem bramki Qg i rezystancją R_DS(on), pozwalającymi na pracę z dużą częstotliwością przełączania przy małym stratach i małym poziomie generowanych zaburzeń EMI. Mogą znaleźć zastosowanie w stacjach ładowania samochodów elektrycznych oraz systemach zasilania w telekomunikacji i centrach danych.

Seria tranzystorów MDmesh DM6 obejmuje obecnie 23 wersje produkowane na zakres dopuszczalnych prądów drenu od 15 do 72 A. Charakteryzują się one ładunkiem bramki wynoszącym od 20 do 117 nC i rezystancją R_DS(on) od 0,036 do 0,24 Ω. Są zamykane w obudowach TO-LL, PowerFLAT 8x8 HV, D2PAK, TO-220 i TO-247. Niektóre wersje są wyposażone w dodatkowe wyprowadzenie Kelvina do precyzyjnego pomiaru natężenia prądu.