Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w połączeniu półmostkowym do 200 V

DGD2003/2005 i DGD2012 to szybkie, wysokonapięciowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET, przeznaczone do pracy z dwoma tranzystorami n-kanałowymi połączonymi w konfiguracji półmostkowej. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w konwerterach DC-DC, falownikach i wzmacniaczach klasy D pracujących z napięciem zasilania do 200 V. Zawierają wejścia logiczne z bramkami Schmitta, zmniejszające ryzyko przypadkowego przełączenia i kompatybilne z układami TTL/CMOS.

Wyjścia są odporne na ujemne impulsy przepięciowe i zawierają zabezpieczenie podnapięciowe dla sekcji high-side i low-side. Sterowniki DGD2003/2005 pracują z maksymalnym prądem wyjściowym source/sink odpowiednio 290/600 mA. W przypadku DGD2012S8 jest to odpowiednio 1,9/2,3 A.

Aby zmniejszyć ryzyko równoczesnego włączenia obu tranzystorów w stopniu wyjściowym (Shoot-Through), nowe sterowniki charakteryzują się dopasowanymi czasami opóźnienia. Wszystkie trzy układy są zamykane w obudowach SO-8. Mogą pracować w zakresie temperatur otoczenia od -40 do +125°C.