Tranzystor MOSFET GaN 650 V do systemów zasilania wymagających najwyższej sprawności
Tranzystor AONV070V65G1 zrealizowany w technologii GaN to druga z innowacji firmy Alpha and Omega Semiconductor, zaprezentowanych na konferencji Applied Power Electronics 2019. Jest to tranzystor o napięciu znamionowym 650 V, będący pierwszym modelem dostępnym w ramach nowej rodziny αGAN. Jest przeznaczony do zastosowań w układach zasilania wymagających dużej sprawności i gęstości mocy, m.in. w zasilaczach telekomunikacyjnych i serwerowych.
Został wykonany na podłożu GaN-on-Si, zapewniając w stosunku do tradycyjnych, krzemowych tranzystorów MOSFET ponad dwukrotnie mniejszą powierzchnię struktury, 10-krotnie mniejszy ładunek Qg oraz brak niepożądanego ładunku Qrr. Bardzo mały prąd upływu, charakteryzujący tranzystory nowej rodziny αGAN, pozwala na współpracę z niektórymi dostępnymi obecnie sterownikami bramek tranzystorów krzemowych.
AONV070V65G1 jest produkowany w obudowie DFN 8 x 8 mm o małej indukcyjności, wyposażonej w wyprowadzenie radiatora do skutecznego odprowadzania ciepła. Jego ceny hurtowe zaczynają się od 8 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.
Ważniejsze parametry:
- VDS @ TJ: maks. 650 V,
- IDM: 45 A,
- RDS(ON): 70 mΩ,
- Qg, typ: 6,9 nC,
- Eoss @ 400 V: 6 μJ.
