Tranzystory MOSFET 40 V o bardzo dużej gęstości mocy w obudowach LFPAK 8 x 8 mm

Do oferty tranzystorów MOSFET firmy Nexperia dołącza 6 nowych tranzystorów o bardzo dużej gęstości mocy, zamykanych w obudowach LFPAK88 o powierzchni 8 x 8 mm. Są to tranzystory n-kanałowe o napięciu znamionowym 40 V i dopuszczalnym prądzie ciągłym 425 A, wykazujące bardzo małą rezystancję R_DS(on) już od 0,7 m. Mogą być stosowane jako zamienniki tranzystorów w obudowach D²PAK, od których są mniejsze o odpowiednio 60% i 64% pod względem zajmowanej powierzchni i grubości.

W odróżnieniu od obudów, których parametry są ograniczane przez wewnętrzne połączenia drutowe, w obudowach LFPAK88 zastosowano struktury połączeniowe typu copper-clip, zapewniające małą rezystancję elektryczną oraz skuteczne odprowadzanie ciepła z wewnętrznej struktury. Zestawienie dużego dopuszczalnego prądu przewodzenia z małą rezystancją R_DS(on) i małymi gabarytami obudowy zapewnia nawet 48-krotnie większą gęstość mocy nowych tranzystorów niż w przypadku odpowiedników zamykanych w obudowach D²Pak.

Dodatkowo, wyprowadzenia typu gull wing są narażone na mniejsze naprężenia, zapewniając dwukrotnie większą niezawodność niż jest wymagana w specyfikacji AEC-Q101. Nowe tranzystory są produkowane w wersjach przystosowanych do aplikacji przemysłowych (PSMNxxx) i motoryzacyjnych (BUK7Sxxx).

Zastosowania w przemyśle motoryzacyjnym obejmują układy hamulcowe, wspomagania kierownicy, zabezpieczenia przed odwróceniem polaryzacji oraz przetwornice DC-DC, gdzie oszczędność przestrzeni jest szczególnie przydatna w obwodach wymagających redundancji. Zastosowania przemysłowe obejmują elektronarzędzia, profesjonalne zasilacze i osprzęt telekomunikacyjny.