1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247
Mitsubishi Electric dodaje do oferty serię 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET produkowanych w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247, pozwalających ograniczyć straty i powierzchnię na płytkach drukowanych w wysokonapięciowych systemach zasilania. Nowa oferta obejmuje 6 typów tranzystorów różniących się dopuszczalnym prądem drenu i rezystancją RDS(on). Wykazują one mały współczynnik FOM, wynoszący od 1450 mΩ-nC. Trzy z nich uzyskały kwalifikację samochodową AEC-Q101.
Dzięki wprowadzeniu dodatkowego, napięciowego wyprowadzenia źródła, nowe tranzystory BM02xxxx/BM04xxxx/BM08xxxx zapewniają mniejsze o 30% straty przy przełączaniu w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami produkowanymi w obudowach 3-wyprowadzeniowych. Wynika to ze zmniejszenia indukcyjności pasożytniczej i wyeliminowania spadku napięcia VGS związanego ze zmianami natężenia prądu źródła. Mniejsze straty mocy oznaczają możliwość stosowania mniejszych i prostszych układów chłodzenia oraz mniejszych elementów współpracujących, co przekłada się na mniejszą wymaganą powierzchnię płytki drukowanej. Dodatkową zaletą obudów 4-wyprowadzeniowych jest większy odstęp izolacyjny pomiędzy elektrodami drenu i źródła, mający znaczenie zwłaszcza w aplikacjach pracujących na zewnątrz budynków, narażonych na kurz i akumulację zabrudzeń.
