Tranzystory SiC MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV
GeneSiC, firma specjalizująca się w produkcji podzespołów półprzewodnikowych na bazie podłoży z węglika krzemu (SiC), opracowała trzy tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV, przeznaczone do zastosowań m.in. w infrastrukturze energetycznej smart grid oraz konwerterach DC-DC sieci trakcyjnych.
Są one dostarczane w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych. Nowa oferta obejmuje trzy typy tranzystorów różniących się rezystancją RDS(on) i dopuszczalnym prądem drenu:
- G2R300MT65-CAL (6,5 kV, 300 mΩ, 16 A),
- G2R325MS65-CAL (6,5 kV, 325 mΩ, 15 A) z wbudowaną diodą Schottky’ego,
- G2R100MT65-CAL (6,5 kV, 100 mΩ, 40 A).
Wszystkie tranzystory G2R zostały wyposażone w szybkie diody zabezpieczające, a G2R325MS65-CAL dodatkowo w diodę Schottky’ego. Zawierają podwójne wyprowadzenie drenu, ograniczające straty mocy przy pracy impulsowej. Pracują z napięciem sterowania bramki +20/-5 V. Charakteryzują się małym współczynnikiem FOM (RDS(on)*Qg) i małą pojemnością wewnętrzną (CISS=3,4…14 ns, COSS=80…260 pF). Zapewniają małe straty w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +175°C.
