stdClass Object
(
    [id] => 14542
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => 750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ
    [alias] => 750-woltowe-tranzystory-sic-mosfet-4-generacji-o-rezystancji-rds-on-od-18-m
    [introtext] => 

Firma UnitedSiC, specjalizująca się w produkcji półprzewodników na podłożach z węglika krzemu, wprowadza na rynek pierwsze tranzystory MOSFET 4. generacji o napięciu przebicia 750 V, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w przemysłowych i samochodowych systemach ładowania oraz systemach energii odnawialnej i magazynowania energii. Do oferty wchodzą po dwa modele zamykane w obudowach TO247-3L (UJ4C075018K3S, UJ4C075060K3S) i TO247-4L (UJ4C075018K4S, UJ4C075060K4S), różniące się rezystancją RDS(on), wynoszącą w zależności od wersji 18 mΩ lub 58 mΩ.

[fulltext] =>

Są to tranzystory o bardzo małym współczynniku FoM. W przypadku aplikacji impulsowych „hard-switching”, mały iloczyn rezystancji kanału RDS(on) i energii zgromadzonej w kondensatorze wyjściowym EOSS (mΩ x µJ) zapewnia małe straty przy włączaniu i wyłączaniu. Z kolei w aplikacjach „soft-switching” mały iloczyn RDS(on) x Coss(tr) (mΩ x nF) zapewnia małe starty przy przewodzeniu i umożliwia pracę z większą częstotliwością taktowania.

Nowe tranzystory SiC MOSFET nie tylko zapewniają lepsze parametry od konkurencji w szerokim zakresie temperatury pracy, ale również zawierają wewnętrzną diodę zabezpieczającą o bardzo małym napięciu przewodzenia (od 1,14 V), zmniejszającą straty w czasie martwym i zwiększającą sprawność energetyczną. Zwiększone do 750 V napięcie przebicia daje projektantom większy margines bezpieczeństwa, a szeroki zakres napięcia sterującego bramką (±20 V, Vth=5 V) pozwala na współpracę z większością dostępnych na rynku sterowników tranzystorów MOSFET (Si/SiC) i IGBT.

Ceny hurtowe nowych tranzystorów SiC FET wynoszą od 3,57 USD (UJ4C075060K3S) do 7,20 USD (UJ4C075018K4S) przy zamówieniach 1000 sztuk.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2021-03-08 09:08:11 [date_created] => 2021-03-08 09:05:05 [date_publish] => 2021-03-08 06:55:05 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.unitedsic.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ

Firma UnitedSiC, specjalizująca się w produkcji półprzewodników na podłożach z węglika krzemu, wprowadza na rynek pierwsze tranzystory MOSFET 4. generacji o napięciu przebicia 750 V, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w przemysłowych i samochodowych systemach ładowania oraz systemach energii odnawialnej i magazynowania energii. Do oferty wchodzą po dwa modele zamykane w obudowach TO247-3L (UJ4C075018K3S, UJ4C075060K3S) i TO247-4L (UJ4C075018K4S, UJ4C075060K4S), różniące się rezystancją RDS(on), wynoszącą w zależności od wersji 18 mΩ lub 58 mΩ.

Są to tranzystory o bardzo małym współczynniku FoM. W przypadku aplikacji impulsowych „hard-switching”, mały iloczyn rezystancji kanału RDS(on) i energii zgromadzonej w kondensatorze wyjściowym EOSS (mΩ x µJ) zapewnia małe straty przy włączaniu i wyłączaniu. Z kolei w aplikacjach „soft-switching” mały iloczyn RDS(on) x Coss(tr) (mΩ x nF) zapewnia małe starty przy przewodzeniu i umożliwia pracę z większą częstotliwością taktowania.

Nowe tranzystory SiC MOSFET nie tylko zapewniają lepsze parametry od konkurencji w szerokim zakresie temperatury pracy, ale również zawierają wewnętrzną diodę zabezpieczającą o bardzo małym napięciu przewodzenia (od 1,14 V), zmniejszającą straty w czasie martwym i zwiększającą sprawność energetyczną. Zwiększone do 750 V napięcie przebicia daje projektantom większy margines bezpieczeństwa, a szeroki zakres napięcia sterującego bramką (±20 V, Vth=5 V) pozwala na współpracę z większością dostępnych na rynku sterowników tranzystorów MOSFET (Si/SiC) i IGBT.

Ceny hurtowe nowych tranzystorów SiC FET wynoszą od 3,57 USD (UJ4C075060K3S) do 7,20 USD (UJ4C075018K4S) przy zamówieniach 1000 sztuk.

Dostępne nowe wydanie
Pobierz bezpłatnie