750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ

Firma UnitedSiC, specjalizująca się w produkcji półprzewodników na podłożach z węglika krzemu, wprowadza na rynek pierwsze tranzystory MOSFET 4. generacji o napięciu przebicia 750 V, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w przemysłowych i samochodowych systemach ładowania oraz systemach energii odnawialnej i magazynowania energii. Do oferty wchodzą po dwa modele zamykane w obudowach TO247-3L (UJ4C075018K3S, UJ4C075060K3S) i TO247-4L (UJ4C075018K4S, UJ4C075060K4S), różniące się rezystancją R_DS(on), wynoszącą w zależności od wersji 18 mΩ lub 58 mΩ.

Są to tranzystory o bardzo małym współczynniku FoM. W przypadku aplikacji impulsowych „hard-switching”, mały iloczyn rezystancji kanału R_DS(on) i energii zgromadzonej w kondensatorze wyjściowym E_OSS (mΩ x µJ) zapewnia małe straty przy włączaniu i wyłączaniu. Z kolei w aplikacjach „soft-switching” mały iloczyn R_DS(on) x C_oss(tr) (mΩ x nF) zapewnia małe starty przy przewodzeniu i umożliwia pracę z większą częstotliwością taktowania.

Nowe tranzystory SiC MOSFET nie tylko zapewniają lepsze parametry od konkurencji w szerokim zakresie temperatury pracy, ale również zawierają wewnętrzną diodę zabezpieczającą o bardzo małym napięciu przewodzenia (od 1,14 V), zmniejszającą straty w czasie martwym i zwiększającą sprawność energetyczną. Zwiększone do 750 V napięcie przebicia daje projektantom większy margines bezpieczeństwa, a szeroki zakres napięcia sterującego bramką (±20 V, V_th=5 V) pozwala na współpracę z większością dostępnych na rynku sterowników tranzystorów MOSFET (Si/SiC) i IGBT.

Ceny hurtowe nowych tranzystorów SiC FET wynoszą od 3,57 USD (UJ4C075060K3S) do 7,20 USD (UJ4C075018K4S) przy zamówieniach 1000 sztuk.