Pierwsze bipolarne tranzystory RET (Resistor-Equipped Transistor) o napięciu przebicia 80 V
Nexperia powiększa ofertę tranzystorów RET (Resistor-Equipped Transistor) z wbudowanymi rezystorami polaryzującymi o dwie nowe serie obejmujące pierwsze na rynku tego typu tranzystory o napięciu przebicia zwiększonym z 50 V do 80 V. Mogą one obecnie znaleźć zastosowanie w instalacjach samochodowych i przemysłowych zasilanych napięciem 48 V, zapewniając dostateczny margines bezpieczeństwa na przepięcia.
Tranzystory RET zawierają dwa wewnętrzne rezystory polaryzacyjne: jeden dołączony do bazy i drugi włączony między bazą i emiterem, pozwalające uprościć topologię płytki drukowanej oraz zmniejszyć liczbę i koszt podzespołów.
Nowe tranzystory 80-woltowe występują w wersjach pojedynczych PNP i NPN (ozn. NHUMxxxx) oraz podwójnych NPN/NPN i PNP/PNP (ozn. NHDTxxxx). Wersje pojedyncze są zamykane w obudowach SOT23 (Ptot=250 mW) i SOT323 (Ptot=235 mW), identycznych, jak w przypadku standardowych tranzystorów bipolarnych, a wersje podwójne w obudowach SOT363. Wszystkie charakteryzują się maksymalnym prądem kolektora równym 100 mA. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101 pozwalającą na zastosowania w motoryzacji.
