Podwójny, niskoprofilowy MOSFET do układów zabezpieczania akumulatorów litowo-jonowych

SSM6N951L to niskoprofilowy, podwójny tranzystor MOSFET w układzie z połączonymi drenami, zaprojektowany do zastosowań w układach zabezpieczenia akumulatorów litowo-jonowych. Wyróżnia się przede wszystkim bardzo małą grubością, wynoszącą zaledwie 0,11 mm. Ponadto, jest tranzystorem małostratnym, którego rezystancja R_DS(on) nie przekracza 4,6 mΩ @ V_GS=3,8 V, a prąd upływu bramka-źródło wynosi maksymalnie 1 µA @ V_GS=8 V.

SSM6N951L charakteryzuje się napięciem V_DS równym 12 V. Może przewodzić prąd ciągły o natężeniu do 8 A oraz impulsowy do 80 A (t≤10 μs). Jest zamykany w obudowie TCSP6A-172101 o wymiarach 2,14 x 1,67 x 0,11 mm.