New 650 V CoolSiC Hybrid IGBT discrete family offers superior efficiency

Do oferty firmy Infineon wchodzą nowe tranzystory IGBT rodziny CoolSiC Hybrid o napięciu znamionowym 650 V, łączące zalety technologii Trenchstop 5 IGBT oraz unipolarnej struktury CoolSiC z wbudowaną diodą Schottky'ego. Dzięki dużej częstotliwości pracy, sięgającej nawet 100 kHz i zredukowanym stratom przy przełączaniu, tranzystory te doskonale nadają się do zastosowań w przetwornicach DC-DC i układach korekcji PFC w stacjach ładowania, systemach gromadzenia energii, falownikach instalacji fotowoltaicznych, zasilaczach UPS oraz zasilaczach impulsowych stosowanych w serwerach i systemach telekomunikacyjnych.

Dzięki zintegrowaniu w jednej strukturze diody Schottky'ego SiC z tranzystorem IGBT, tranzystory CoolSiC Hybrid zapewniają znacznie mniejsze straty mocy od wcześniejszych wersji przy praktycznie niezmienionych współczynnikach dv/dt i di/dt. Zredukowano w nich o 60% energię włączania (E_on) oraz o 30% energię wyłączania (E_off) w porównaniu z wersjami ze standardowymi diodami krzemowymi. Alternatywnie, częstotliwość przełączania może zostać zwiększona co najmniej o 40% przy niezmienionej mocy wyjściowej. Większa częstotliwość przełączania pozwala na stosowanie mniejszych i tańszych komponentów pasywnych.

Nowe, hybrydowe tranzystory IGBT mogą być stosowane jako zamienniki wprowadzonych wcześniej na rynek tranzystorów Trenchstop 5, pozwalające na zwiększenie sprawności o 0,1% na każde 10 kHz częstotliwości przełączania, bez konieczności przeprojektowywania obwodów. Wypełniają lukę rynkową pomiędzy tranzystorami krzemowymi i tranzystorami SiC MOSFET. Generują mniejsze zaburzenia elektromagnetyczne i zwiększają niezawodność systemu. Wbudowane diody Schottky'ego charakteryzują się krótkim czasem przełączania bez powodowania większych oscylacji i ryzyka przypadkowego włączenia tranzystora.

Tranzystory te występują w dwóch wariantach obudów TO-247: standardowym 3-wyprowadzeniowym oraz 4-wyprowadzeniowym z podwójnym wyjściem emitera. Dodatkowe wyprowadzenie emitera pozwala zmniejszyć indukcyjność bramka-emiter i tym samym zredukować straty na przełączanie.

Tranzystory IGBT rodziny CoolSiC Hybrid stanowią uzupełnienie wprowadzonych wcześniej do oferty Infineon modułów CoolSiC Hybrid IGBT w obudowach EasyPACK typu 1B i 2B, obejmujących tranzystor IGBT i diodę Schottky'ego CoolSiC. Oferta obejmuje wersje z 650-woltowymi tranzystorami IGBT Trenchstop 5 ultra-fast H5 lub medium-speed o prądzie kolektora 40 A, 50 A i 75 A.