stdClass Object
(
    [id] => 14616
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 1664
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => New 650 V CoolSiC Hybrid IGBT discrete family offers superior efficiency
    [alias] => new-650-v-coolsic-hybrid-igbt-discrete-family-offers-superior-efficiency
    [introtext] => 

Do oferty firmy Infineon wchodzą nowe tranzystory IGBT rodziny CoolSiC Hybrid o napięciu znamionowym 650 V, łączące zalety technologii Trenchstop 5 IGBT oraz unipolarnej struktury CoolSiC z wbudowaną diodą Schottky'ego. Dzięki dużej częstotliwości pracy, sięgającej nawet 100 kHz i zredukowanym stratom przy przełączaniu, tranzystory te doskonale nadają się do zastosowań w przetwornicach DC-DC i układach korekcji PFC w stacjach ładowania, systemach gromadzenia energii, falownikach instalacji fotowoltaicznych, zasilaczach UPS oraz zasilaczach impulsowych stosowanych w serwerach i systemach telekomunikacyjnych.

[fulltext] =>

Dzięki zintegrowaniu w jednej strukturze diody Schottky'ego SiC z tranzystorem IGBT, tranzystory CoolSiC Hybrid zapewniają znacznie mniejsze straty mocy od wcześniejszych wersji przy praktycznie niezmienionych współczynnikach dv/dt i di/dt. Zredukowano w nich o 60% energię włączania (Eon) oraz o 30% energię wyłączania (Eoff) w porównaniu z wersjami ze standardowymi diodami krzemowymi. Alternatywnie, częstotliwość przełączania może zostać zwiększona co najmniej o 40% przy niezmienionej mocy wyjściowej. Większa częstotliwość przełączania pozwala na stosowanie mniejszych i tańszych komponentów pasywnych.

Nowe, hybrydowe tranzystory IGBT mogą być stosowane jako zamienniki wprowadzonych wcześniej na rynek tranzystorów Trenchstop 5, pozwalające na zwiększenie sprawności o 0,1% na każde 10 kHz częstotliwości przełączania, bez konieczności przeprojektowywania obwodów. Wypełniają lukę rynkową pomiędzy tranzystorami krzemowymi i tranzystorami SiC MOSFET. Generują mniejsze zaburzenia elektromagnetyczne i zwiększają niezawodność systemu. Wbudowane diody Schottky'ego charakteryzują się krótkim czasem przełączania bez powodowania większych oscylacji i ryzyka przypadkowego włączenia tranzystora.

Tranzystory te występują w dwóch wariantach obudów TO-247: standardowym 3-wyprowadzeniowym oraz 4-wyprowadzeniowym z podwójnym wyjściem emitera. Dodatkowe wyprowadzenie emitera pozwala zmniejszyć indukcyjność bramka-emiter i tym samym zredukować straty na przełączanie.

Tranzystory IGBT rodziny CoolSiC Hybrid stanowią uzupełnienie wprowadzonych wcześniej do oferty Infineon modułów CoolSiC Hybrid IGBT w obudowach EasyPACK typu 1B i 2B, obejmujących tranzystor IGBT i diodę Schottky'ego CoolSiC. Oferta obejmuje wersje z 650-woltowymi tranzystorami IGBT Trenchstop 5 ultra-fast H5 lub medium-speed o prądzie kolektora 40 A, 50 A i 75 A.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2021-04-08 07:35:15 [date_created] => 2021-04-08 07:33:16 [date_publish] => 2021-04-08 05:52:16 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies Polska Sp. z o.o. [firmId] => 1664 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => infineon [firmWww] => [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

New 650 V CoolSiC Hybrid IGBT discrete family offers superior efficiency

Produkt firmy:

Infineon Technologies Polska Sp. z o.o.

Do oferty firmy Infineon wchodzą nowe tranzystory IGBT rodziny CoolSiC Hybrid o napięciu znamionowym 650 V, łączące zalety technologii Trenchstop 5 IGBT oraz unipolarnej struktury CoolSiC z wbudowaną diodą Schottky'ego. Dzięki dużej częstotliwości pracy, sięgającej nawet 100 kHz i zredukowanym stratom przy przełączaniu, tranzystory te doskonale nadają się do zastosowań w przetwornicach DC-DC i układach korekcji PFC w stacjach ładowania, systemach gromadzenia energii, falownikach instalacji fotowoltaicznych, zasilaczach UPS oraz zasilaczach impulsowych stosowanych w serwerach i systemach telekomunikacyjnych.

Dzięki zintegrowaniu w jednej strukturze diody Schottky'ego SiC z tranzystorem IGBT, tranzystory CoolSiC Hybrid zapewniają znacznie mniejsze straty mocy od wcześniejszych wersji przy praktycznie niezmienionych współczynnikach dv/dt i di/dt. Zredukowano w nich o 60% energię włączania (Eon) oraz o 30% energię wyłączania (Eoff) w porównaniu z wersjami ze standardowymi diodami krzemowymi. Alternatywnie, częstotliwość przełączania może zostać zwiększona co najmniej o 40% przy niezmienionej mocy wyjściowej. Większa częstotliwość przełączania pozwala na stosowanie mniejszych i tańszych komponentów pasywnych.

Nowe, hybrydowe tranzystory IGBT mogą być stosowane jako zamienniki wprowadzonych wcześniej na rynek tranzystorów Trenchstop 5, pozwalające na zwiększenie sprawności o 0,1% na każde 10 kHz częstotliwości przełączania, bez konieczności przeprojektowywania obwodów. Wypełniają lukę rynkową pomiędzy tranzystorami krzemowymi i tranzystorami SiC MOSFET. Generują mniejsze zaburzenia elektromagnetyczne i zwiększają niezawodność systemu. Wbudowane diody Schottky'ego charakteryzują się krótkim czasem przełączania bez powodowania większych oscylacji i ryzyka przypadkowego włączenia tranzystora.

Tranzystory te występują w dwóch wariantach obudów TO-247: standardowym 3-wyprowadzeniowym oraz 4-wyprowadzeniowym z podwójnym wyjściem emitera. Dodatkowe wyprowadzenie emitera pozwala zmniejszyć indukcyjność bramka-emiter i tym samym zredukować straty na przełączanie.

Tranzystory IGBT rodziny CoolSiC Hybrid stanowią uzupełnienie wprowadzonych wcześniej do oferty Infineon modułów CoolSiC Hybrid IGBT w obudowach EasyPACK typu 1B i 2B, obejmujących tranzystor IGBT i diodę Schottky'ego CoolSiC. Oferta obejmuje wersje z 650-woltowymi tranzystorami IGBT Trenchstop 5 ultra-fast H5 lub medium-speed o prądzie kolektora 40 A, 50 A i 75 A.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
New 650 V CoolSiC Hybrid IGBT discrete family offers superior efficiency
Firma: Infineon Technologies Polska Sp. z o.o.
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).
Dostępne nowe wydanie
Pobierz bezpłatnie