Jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET z barierą izolacyjną 3 kV rms

Infineon powiększa ofertę sterowników tranzystorów MOSFET o nową rodzinę sterowników jednokanałowych EiceDRIVER 1EDB z wbudowaną barierą izolacyjną 3 kV rms między wejściem i wyjściem. Są one zamykane w 8-wyprowadzeniowych obudowach DSO. Zapewniają odporność na wejściowe przepięcia sumacyjne o szybkości narastania do 300 V/ns.

Nadają się idealnie do zastosowań w zasilaczach dużej mocy do serwerów i systemów telekomunikacyjnych, zasilaczach UPS, stacjach ładowania oraz falownikach do instalacji fotowoltaicznych. Oferta obejmuje obecnie cztery typy układów (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F i 1EDB9275F) zoptymalizowanych do aplikacji high-side i low-side. Wszystkie charakteryzują się bardzo małą rezystancją wyjściową, wynoszącą 0,95 Ω dla wersji source i 0,48 Ω dla wersji sink oraz dużym dopuszczalnym prądem szczytowym (odpowiednio 5, A i 9,8 A), pozwalając zmniejszyć straty mocy przy przełączaniu tranzystorów. Różnice czasów propagacji pomiędzy poszczególnymi egzemplarzami nie przekraczają ±4 ns.

Projektanci mają możliwość wyboru spośród czterech dostępnych wariantów zabezpieczenia podnapięciowego:

• 0 V dla tranzystorów MOSFET sterowanych sygnałami logicznymi (1EDB7275F),
• 0 V dla tranzystorów MOSFET o normalnych poziomach sterowania (1EDB8275F),
• 12 V dla 650-woltowych tranzystorów CoolSiC MOSFET (sterowanie 15 V, 1EDB6275F),
• 14 V dla 650-woltowych tranzystorów CoolSiC MOSFET (sterowanie ≥18 V, 1EDB9275F).