Pierwsze tranzystory GaN w ofercie STMicroelectronics

STMicroelectronics wprowadza na rynek nową rodzinę półprzewodników na podłożu GaN, pozwalających na ograniczenie strat mocy i wymiarów urządzeń elektronicznych.

Azotek galu (GaN) to materiał półprzewodnikowy o szerokiej przerwie zabronionej, będący w stanie wytrzymać znacznie większe napięcie pracy niż tradycyjny krzem, bez wpływu na rezystancję w stanie przewodzenia. Technologia GaN zapewnia też dużą szybkość przełączania i małe straty mocy oraz pozwala na stosowanie mniejszych elementów pasywnych. Wszystkie te cechy umożliwiają zmniejszenie całkowitych strat i ilości wytwarzanego ciepła w układach konwersji mocy, co pozwala m.in. na projektowanie mniejszych ładowarek.

Firma STMicroelectronics wprowadziła już do sprzedaży pierwszy tego typu tranzystor GaN o symbolu SGT120R65AL, charakteryzujący się napięciem przebicia 650 V, rezystancją kanału 120 mΩ i maksymalnym prądem drenu 15 A. Jest on produkowany w 4-wyprowadzeniowej obudowie PowerFLAT 5x6 HV (z podwójną elektrodą źródła), zapewniającej optymalne sterowanie bramką. Cena hurtowa tego modelu wynosi 3 USD przy zamówieniach 100 sztuk.

Pozostałe tranzystory z nowej oferty są obecnie dostępne jako próbki produkcyjne. Należy do nich model SGT120R65A2S o rezystancji R_DS(on) równej 120 mΩ, zamykany w obudowie 2SPAK, a także SGT65R65AL i SGT65R65A2S - oba o rezystancji R_DS(on) równej 65 mΩ RDS, zamykane w obudowach odpowiednio PowerFLAT 5×6 HV i 2SPAK. Produkcja masowa tych tranzystorów rozpocznie się w drugiej połowie 2022 roku.

Ponadto w trzecim kwartale 2022 r. będzie dostępny w wersji próbnej tranzystor GaN SGT250R65ALCS w układzie kaskody, stanowiący rozszerzenie rodziny G-FE. Charakteryzuje się on rezystancją R_DS(on) równą 250 mΩ i jest produkowany w obudowie PQFN 5×6. Tranzystory rodziny G-FET, wyróżniające się bardzo małym ładunkiem Qrr, są projektowane do zastosowań w układach zasilania.