Tranzystory OptiMOS 5 o dużej gęstości mocy w obudowach 2 x 2 mm

Do oferty Infineon wchodzą nowe 25- i 30-woltowe tranzystory n-MOSFET rodziny OptiMOS 5 o dużej gęstości mocy i małych stratach, zoptymalizowane do zastosowań w zasilaczach impulsowych, ładowarkach i układach napędowych silników BLDC. Są one zamykane w obudowach PQFN o powierzchni zaledwie 2 x 2 mm.

Charakteryzują się małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą 2,4 mΩ dla 25-woltowego modelu ISK024NE2LM5 oraz 3,6 mΩ dla 30-woltowego ISK036N03LM5 przy V_GS=10 V. Pojemność bramek to odpowiednio 14,8 nC i 16,2 nC, a dopuszczalny ciągły prąd drenu 55 A i 44 A (@ +25°C). Oba tranzystory są przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatury otoczenia od -55 do +150°C.