TW007D120E to tranzystor MOSFET wykonany z węglika krzemu (SiC), opracowany z myślą o nowoczesnych systemach zasilania, stosowanych m.in. w centrach danych, które korzystają z algorytmów sztucznej inteligencji (AI). Element dostarczany przez firmę Toshiba znajduje zastosowanie także w przetwornicach AC/DC i DC/DC, falownikach, zasilaczach awaryjnych (UPS), systemach zarządzania energią i ładowarkach pojazdów o napędzie elektrycznym (EV).
Typowa rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) przyjmuje wartość 7 mΩ, przy napięciu "bramka–źródło" VGS równym 15 V. Dla wymienionej wartości ładunek "bramka–dren" Qgd sięga 33 nC. Natomiast całkowity ładunek bramki Qg nie przekracza 317 nC. Dodatkowo maksymalny prąd drenu ID wynosi 172 A. Na uwagę zasługuje też pojemność wejściowa Ciss, która osiąga 14 nF dla napięcia "dren–źródło" VDS=800 V. W porównaniu do modelu TW015Z120C, rezystancję RDS(on) zmniejszono o 58%, a wartość parametru RDS(on)×Qgd została obniżona o 52%.Przekłada się to na wyższą sprawność energetyczną oraz lepsze parametry pracy w aplikacjach wysokiej mocy i układach pracujących z wysoką częstotliwością przełączania.
Tranzystor MOSFET zapewniany jest w obudowie QDPAK z odprowadzaniem ciepła przez górną powierzchnię. Rozwiązanie to umożliwia niezwykle skuteczne odprowadzanie ciepła ze struktury półprzewodnikowej i ułatwia integrację z różnymi rozwiązaniami. Konstrukcja układu stanowi odpowiedź na wzrastające zapotrzebowanie na moc obliczeniową szczególnie w aplikacjach sztucznej inteligencji. Z myślą o nich dokonano ograniczenia mocy strat. Przekłada się to na mniejsze nagrzewanie się podzespołu, możliwość pracy przy większych obciążeniach i w ostateczności na prostsze projektowania systemów zasilania dla infrastruktury AI oraz innych, wymagających zastosowań, w tym dla aplikacji energoelektronicznych.
Więcej na: toshiba.semicon-storage.com
