W ofercie firmy Vishay Intertechnology pojawiły się cztery nowe warianty modułów mocy VS-FC o symbolach: VS-FC50SA65, VS-FC100SA65, VS-FC150SA65 i VS-FC50LA65, z czego pierwsze trzy zawierają tranzystory MOSFET o napięciu "dren-źródło" VDS równym 650 V, a ostatni model integruje dodatkowo diodę Schottky’ego opartą na węgliku krzemu (SiC).
W zależności od podzespołu, typowa rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) ma wartość: 14,8, 22, 44 lub 45 mΩ. Całkowity ładunek bramki Qg mieści się w przedziale od 167 nC (dla wersji 50 A) do 508 nC (dla modułów 150 A), natomiast dopuszczalna temperatura pracy zawiera się od −55 do 150°C. Zapewnione są również ograniczone straty mocy przy równoczesnym zachowaniu krótkich czasów przełączania. Wszystkie nowe komponenty zamknięte są w obudowie SOT-227. Ich zastosowania obejmują przede wszystkim przetwornice DC/DC i falowniki w instalacjach fotowoltaicznych. Ponadto pozostałymi aplikacjami są zasilacze impulsowe, urządzenia do cięcia i spawania, systemy oświetleniowe, stacje ładowania oraz aparatura medyczna, wliczając w to rozwiązania do wykonywania prześwietleń rentgenowskich (RTG) lub rezonansu magnetycznego (MRI).
Więcej na: www.vishay.com
