Podwójny p-kanałowy MOSFET 12V w obudowie o powierzchni 2 x 2mm

SiA975DJ to rekordowo mały, podwójny tranzystor P-MOS zamykany w obudowie PowerPAK SC-70 o powierzchni zaledwie 2 x 2mm. Został wyprodukowany w technologii Trench Gen III i charakteryzuje się najmniejszą rezystancją kanału spośród wszystkich dostępnych obecnie elementów tego typu. 

Jest przeznaczony do zastosowań w obwodach zasilania urządzeń bateryjnych o największej gęstości upakowania podzespołów. Rezystancja R_DS(on) wynosi 41m przy napięciu polaryzacji V_GS=4,5V, 60mΩ przy 2,5V i 110mΩ przy 1,8V. W przypadku najbliższego odpowiednika wartości te są większe o 25...32%.