650-watowy tranzystor GaN on SiC HEMT do radarów impulsowych na pasmo L

MAGX-001214-650L00 to kolejny tranzystor mikrofalowy GaN on SiC HEMT z oferty firmy M/A-COM, przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości 1200...1400 MHz. Został zaprojektowany do zastosowań w radarach impulsowych na pasmo L (impuls 300 μs, cykl pracy 10%), oferując w chwili obecnej największą moc szczytową wśród tej klasy tranzystorów, wynoszącą 650 W.

Zapewnia wzmocnienie wynoszące typowo 19,5 dB i 60-procentową sprawność. Zawiera wewnętrzny obwód dopasowujący. Może pracować w warunkach silnego niedopasowania obciążenia (tolerancja VSWR do 5:1, stabilność VSWR do 3:1). O dużej niezawodności tego modelu świadczy współczynnik MTTF równy 5,3 x 106 h (600 lat).