Wysokonapięciowe MOSFETy 400...650 V z kwalifikacją AEC-Q101

Firma STMicroelectronics dodaje do oferty 18 nowych n-kanałowych tranzystorów MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101, zaprojektowanych na potrzeby głównie aplikacji samochodowych wymagających łagodnych charakterystyk przełączania i dwukierunkowego zabezpieczenia bramki realizowanego przez diody Zenera w układzie back-to-back.

Są to tranzystory superzłączowe produkowane w najnowszym procesie technologicznym MDmesh DM2 na napięcia przebicia od 400 do 650 V i zamykane w trzech typach obudów: D²Pak, TO-220 i TO-247. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą o krótkim czasie regeneracji. Nadają się idealnie do zastosowań w układach mostkowych zero-voltage-switching w aplikacjach samochodowych. Wyróżniają się krótkim czasem i małym ładunkiem regeneracji oraz małą energią wyłączania (Eoff) przy dużych prądach drenu, pozwalającymi zwiększyć sprawność samochodowych układów zasilania. Wbudowana szybka dioda zabezpieczająca obniża poziom generowanych zaburzeń EMI, pozwalając na stosowanie mniejszych elementów w filtrach pasywnych.

Ważniejsze cechy:

• mała rezystancja R_DS(on),
• napięcia przebicia: od 400 do 650 V,
• mały ładunek bramki i pojemność wejściowa: 44 nC/1850 pF dla modelu 500 V w obudowie D²Pak,
• czas regeneracji (t_RR):
  • 120 ns @ 28 A dla modelu 600 V w obudowie TO-247,
  • 135ns @ 48 A dla modelu 650 V w obudowie TO-247,
• dwukierunkowe zabezpieczenie bramki diodą Zenera.

Ceny tranzystorów z nowej oferty wynoszą od 3,0 do 10,0 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.