Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Wszystkie

Transceiver RS-485 o szybkości transmisji do 40 Mbps z wyjściem zgodnym z PROFIBUS Transceiver RS-485 o szybkości transmisji do 40 Mbps z wyjściem zgodnym z PROFIBUS
Kondensatory DC-Link 5...3400 μF/700...1300 V do pracy w temperaturze otoczenia do +105°C Kondensatory DC-Link 5...3400 μF/700...1300 V do pracy w temperaturze otoczenia do +105°C
System SmartEdgeML do projektowania aplikacji ML na bazie miniaturowego modułu IMU ICM-45686-S System SmartEdgeML do projektowania aplikacji ML na bazie miniaturowego modułu IMU ICM-45686-S
Komputery panelowe OMNI-3155HTT-BT-A1-1012 i PPC-3150S-RB CSI S.A. Komputery panelowe OMNI-3155HTT-BT-A1-1012 i PPC-3150S-RB
8-amperowy konwerter DC-DC buck-boost o zakresie temperatury pracy od -40 do +125°C 8-amperowy konwerter DC-DC buck-boost o zakresie temperatury pracy od -40 do +125°C
Filtry wejściowe do przetwornic DC-DC w aplikacjach kolejowych i wojskowych Filtry wejściowe do przetwornic DC-DC w aplikacjach kolejowych i wojskowych
Konwertery DC-DC o sprawności do 92% w miniaturowych obudowach SMT QFN Konwertery DC-DC o sprawności do 92% w miniaturowych obudowach SMT QFN
Transceiver 76...81 GHz do samochodowych radarów FMCW Transceiver 76...81 GHz do samochodowych radarów FMCW
Wodoszczelny czujnik ciśnienia barometrycznego o wymiarach 3,0 x 3,0 x 2,1 mm Wodoszczelny czujnik ciśnienia barometrycznego o wymiarach 3,0 x 3,0 x 2,1 mm
Kalkulator bilansu energetycznego do projektowania aplikacji energy harvest Kalkulator bilansu energetycznego do projektowania aplikacji energy harvest
650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC 650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC
Miniaturowy czujnik ToF do monitorowania jakości powietrza i wykrywania dymu za pomocą smartfonów Miniaturowy czujnik ToF do monitorowania jakości powietrza i wykrywania dymu za pomocą smartfonów
Seria diod Schottky'ego o napięciu przebicia 30...100 V do elektroniki samochodowej Seria diod Schottky'ego o napięciu przebicia 30...100 V do elektroniki samochodowej
Tranzystor GaN FET z wbudowanym sterownikiem bramki i czujnikiem prądu wyjściowego Tranzystor GaN FET z wbudowanym sterownikiem bramki i czujnikiem prądu wyjściowego
Niskoprofilowe złącza Samtec Edge Rate o rozstawie wyprowadzeń 0,635 mm i wąskiej konstrukcji Niskoprofilowe złącza Samtec Edge Rate o rozstawie wyprowadzeń 0,635 mm i wąskiej konstrukcji
Tanie mikrokontrolery do układów napędowych i współpracy z czujnikami przemysłowymi Tanie mikrokontrolery do układów napędowych i współpracy z czujnikami przemysłowymi
Chipowy kondensator rezonansowy CLLC 22 nF/1000 V do ładowarek samochodowych Chipowy kondensator rezonansowy CLLC 22 nF/1000 V do ładowarek samochodowych
Szybkie diody prostownicze 600 V w obudowach TO-263AC Szybkie diody prostownicze 600 V w obudowach TO-263AC
Tranzystor GaN HEMT 650 V w obudowie CCPAK copper-clip o małej indukcyjności Tranzystor GaN HEMT 650 V w obudowie CCPAK copper-clip o małej indukcyjności
Warystory SMD na napięcie 175...460 V rms odporne na duże impulsy prądowe Warystory SMD na napięcie 175...460 V rms odporne na duże impulsy prądowe
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o rezystancji RDS(ON) od 95 mΩ Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o rezystancji RDS(ON) od 95 mΩ