wersja mobilna
Online: 444 Piątek, 2017.12.15

Biznes

Toshiba buduje nową fabrykę układów NAND

wtorek, 30 marca 2010 12:35

Jeszcze w tym roku Toshiba planuje rozpocząć budowę nowej fabryki półprzewodników wyspecjalizowanej w produkcji pamięci NAND flash. Nowa inwestycja, Fab 5, powstanie, według marcowej zapowiedzi Toshiby, na terenie przyległym do istniejących fabryk producenta w Yokkaichi w prefekturze Mie, w Japonii.

Według doniesień japońskiej prasy plasująca się na drugim po Samsungu miejscu wśród największych na świecie dostawców pamięci NAND Toshiba przeznaczy na nową inwestycję około 8,9 mld dol. Obecnie Toshiba posiada w sumie cztery fabryki NAND, wszystkie zlokalizowane w Yokkaishi.

Pierwotnie firma planowała rozpoczęcie budowy w 2009 r., ale w styczniu ubiegłego roku inwestycję przełożono ze względu na światową recesję i dekoniunkturę na rynku układów scalonych. Podobnie jak i inni dostawcy układów pamięci, Toshiba ograniczyła w zeszłym roku inwestycje z uwagi na znaczne wahania cen pamięci.

Według firmy analitycznej iSuppli ceny układów NAND poszły w górę w drugiej połowie roku, a tylko w ostatnim kwartale 2009 r. wzrosły aż o 5%. Z kolei Objective Analisys, agencja badania rynku NAND i SSD, przewiduje, że przewaga popytu nad podażą dla układów NAND, która wystąpiła w marcu zeszłego roku, przeciągnie się do roku 2011 powodując stały wzrost cen układów pamięci.

Wielkością Fab 5 ma być zbliżona do obecnie funkcjonującej Fab 4. Fabryka będzie miała strukturę amortyzującą trzęsienia ziemi i ma być przyjazna dla środowiska. Emisja dwutlenku węgla będzie ograniczona o 12% w porównaniu do Fab 4.

Dzięki zwiększonej wydajności produkcyjnej Toshiba szybko i zdecydowanie dostosuje się do potrzeb rynku i, zdaniem samej firmy, wzmocni konkurencyjność na rynku półprzewodników. Budowa Fab 5 rozpocznie się w lipcu br., a jej zakończenie jest planowane na wiosnę 2011 r.

 

World News 24h

czwartek, 14 grudnia 2017 20:00

GlobalFoundries unveiled details of its 7nm process which promises a significant increase in density, performance and efficiency in comparison to the 14nm technology used to manufacture AMD processors, IBM Power server chips and other products. GlobalFoundries will start 7nm production using current lithography tools, though it plans to quickly move to next-generation EUV lithography to cut costs. Based on GlobalFoundries latest generation of 3D or FinFET transistors, the 7LP process has a fin pitch of 30nm, gate pitch of 56nm and a minimum metal pitch of 40nm - all of which are "significantly scaled from 14nm." GlobalFoundries said it tuned the fin shape and profile for best performance, but did not provide measurements for the width or height of the fins.

więcej na: www.zdnet.com

Produkty