wersja mobilna
Online: 479 Piątek, 2017.11.24

Biznes

Intel produkuje tranzystory 3-D w procesie 22nm

środa, 01 czerwca 2011 09:07

Intel wprowadził proces technologiczny 22nm oraz długo oczekiwane tranzystory 3-D tri-gate. Jednocześnie Intel zademonstrował wykonany w tej technologii na bazie nowych tranzystorów mikroprocesor o nazwie Ivy Bridge. Procesory z rodziny Ivy Bridge będą pierwszymi układami produkowanymi wielkoseryjnie, w których stosowane będą tranzystory typu tri-gate. Produkcja ma ruszyć z końcem roku.

Trójwymiarowe tranzystory z trzema bramkami pozwalają lepiej niż stosowane powszechnie do tej pory tranzystory planarne kontrolować i redukować przypływ prądu spoczynkowego, co bezpośrednio przekłada się na wydajność. Według Intela wydajność tranzystora 3-D jest wyższa o 37% niż w przypadku dotychczas stosowanych 32-nanometrowych tranzystorów planarnych firmy.

MT

 

 

World News 24h

czwartek, 23 listopada 2017 19:53

An Israel-based semiconductor startup has reported positive results with its ReRAM technology. Weebit Nano recently published preliminary evaluation results of endurance and data retention measurement on 4Kb arrays on 300nm cells. In a telephone interview with EE Times, CEO Coby Hanoch said the results successfully conclude the 300nm 4Kb characterization. The measurement was done under a variety of temperature and duration conditions at 150, 200 and 260 degrees Celsius, monitoring the ability of the ReRAM cells to maintain their resistivity levels within industry acceptable ranges. Hanoch said 260 degrees Celsius is significant since it's the temperature used when soldering chipsets into printed circuit boards.

więcej na: www.eetimes.com