wersja mobilna
Online: 485 Niedziela, 2018.04.22

Biznes

Najmniejszy tranzystor na bazie indu i galu może zakończyć dominację krzemu

czwartek, 13 grudnia 2012 12:14

Naukowcy z MIT opracowali najmniejszy tranzystor jaki kiedykolwiek zbudowano. Do jego wykonania posłużył półprzewodnikowy związek na bazie indu i galu - InGaAs. Dni panowania krzemu w urządzeniach elektronicznych mogą być zatem policzone. Aby sprostać zapotrzebowaniu na coraz szybsze urządzenia komputerowe, wymiary tranzystorów są stale zmniejszane. Tranzystor opracowany w Massachusetts Institute of Technology ma zaledwie 22 nanometry grubości.

- Im więcej tranzystorów można upakować w chipie, tym mocniejszy będzie układ i będzie wykonywał więcej funkcji. Gdy jednak tranzystory krzemowe są redukowane do skali nanometrowej, obniżana jest też wartość prądu, który może być wytwarzany przez urządzenia, co ogranicza szybkość ich pracy. To prowadzi do obaw, że prawo Moore'a, czyli przewidywane przez założyciela firmy Intel, Gordona Moore, podwajanie co dwa lata liczby tranzystorów w mikroprocesorach, może właśnie dobiegać końca - mówił jeden ze współtwórców najmniejszego tranzystora, profesor Jesús del Alamo.

Aby utrzymać prawo Moore'a przy życiu, od pewnego czasu badane są alternatywy dla krzemu, które potencjalnie mogą wytwarzać większy prąd nawet podczas pracy przy mniejszych skalach. Jednym z takich materiałów jest związek indu i arsenku galu, który jest już używany w światłowodowych technologiach komunikacyjnych i radarowych, i wiadomo, że ma bardzo dobre właściwości elektryczne. Naukowcy z MIT udowodnili, że możliwe jest zbudowanie tranzystora polowego MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o nanometrowej wielkości. Ten rodzaj tranzystorów jest najczęściej wykorzystywany w mikroprocesorach. - Pokazaliśmy, że można zrobić bardzo małe tranzystory MOSFET z arsenku indu i galu, mające doskonałe właściwości logiczne, które przesuną prawo Moore'a poza zasięg krzemu - mówił del Alamo.

Kolejnym krokiem naukowców będzie praca na rzecz poprawy parametrów elektrycznych, a tym samym szybkości tranzystora, poprzez eliminację niepożądanego oporu wewnętrznego. Kiedy zostanie to osiągnięte, ostatecznym celem będzie zmniejszenie wielkości bramki do poniżej 10 nanometrów.

źródło: Massachusetts Institute of Technology

 

World News 24h

niedziela, 22 kwietnia 2018 07:54

G.Skill announced the availability of new, higher-speed memory kits in its AMD-version Trident Z and Sniper X product lines. The first is now available in speeds up to 3600MHz, and the second in speeds up to 3466MHz. It should be noted that this announcement only applies to G.Skill’s AMD-specific memory kits. The company already offers memories at and beyond these speeds, but they’re not guaranteed to work with AMD’s Ryzen and Threadripper processors. The maximum default memory speed on X470 is 2933MHz, but our own overclocking managed to bring that to 3466MHz.

więcej na: www.tomshardware.com