Najmniejszy tranzystor na bazie indu i galu może zakończyć dominację krzemu

Naukowcy z MIT opracowali najmniejszy tranzystor jaki kiedykolwiek zbudowano. Do jego wykonania posłużył półprzewodnikowy związek na bazie indu i galu - InGaAs. Dni panowania krzemu w urządzeniach elektronicznych mogą być zatem policzone. Aby sprostać zapotrzebowaniu na coraz szybsze urządzenia komputerowe, wymiary tranzystorów są stale zmniejszane. Tranzystor opracowany w Massachusetts Institute of Technology ma zaledwie 22 nanometry grubości.

Posłuchaj
00:00

- Im więcej tranzystorów można upakować w chipie, tym mocniejszy będzie układ i będzie wykonywał więcej funkcji. Gdy jednak tranzystory krzemowe są redukowane do skali nanometrowej, obniżana jest też wartość prądu, który może być wytwarzany przez urządzenia, co ogranicza szybkość ich pracy. To prowadzi do obaw, że prawo Moore'a, czyli przewidywane przez założyciela firmy Intel, Gordona Moore, podwajanie co dwa lata liczby tranzystorów w mikroprocesorach, może właśnie dobiegać końca - mówił jeden ze współtwórców najmniejszego tranzystora, profesor Jesús del Alamo.

Aby utrzymać prawo Moore'a przy życiu, od pewnego czasu badane są alternatywy dla krzemu, które potencjalnie mogą wytwarzać większy prąd nawet podczas pracy przy mniejszych skalach. Jednym z takich materiałów jest związek indu i arsenku galu, który jest już używany w światłowodowych technologiach komunikacyjnych i radarowych, i wiadomo, że ma bardzo dobre właściwości elektryczne. Naukowcy z MIT udowodnili, że możliwe jest zbudowanie tranzystora polowego MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o nanometrowej wielkości. Ten rodzaj tranzystorów jest najczęściej wykorzystywany w mikroprocesorach. - Pokazaliśmy, że można zrobić bardzo małe tranzystory MOSFET z arsenku indu i galu, mające doskonałe właściwości logiczne, które przesuną prawo Moore'a poza zasięg krzemu - mówił del Alamo.

Kolejnym krokiem naukowców będzie praca na rzecz poprawy parametrów elektrycznych, a tym samym szybkości tranzystora, poprzez eliminację niepożądanego oporu wewnętrznego. Kiedy zostanie to osiągnięte, ostatecznym celem będzie zmniejszenie wielkości bramki do poniżej 10 nanometrów.

źródło: Massachusetts Institute of Technology

Powiązane treści
Krzem, krzemogerman, InGaAs, a może nanorurki węglowe, czyli przyszłość branży półprzewodników
Nadchodzi eksplozja zastosowań układów mocy z azotku galu
Rozłam wśród akcjonariuszy przyczyną upadku Ammono
Tranzystory MOSFET kontra IGBT - świadomy wybór
Polscy i niemieccy naukowcy opracowali nowy tranzystor spinowy
Intel produkuje tranzystory 3-D w procesie 22nm
Tranzystory IGBT - konkurencja dla MOSFET-ów i BJT
Intel przekracza granicę 2 mld tranzystorów
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Aktualności
Renex rozwija szkolenia IPC w Europie Środkowo-Wschodniej
Aktualności
Ograniczenia eksportu pierwiastków ziem rzadkich będą problemem
Aktualności
Ensign InfoSecurity nagrodzona za Aletheia – AI do wykrywania deepfake’ów w czasie rzeczywistym
Produkcja elektroniki
Branża motoryzacyjna obiera kurs na RISC-V
Aktualności
Polscy konsumenci gromadzą nieużywaną elektronikę wartą 112 mld zł
Mikrokontrolery i IoT
Coraz więcej możliwości komunikacji satelitarnej w IoT
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Maj 2025
Magazyn
Kwiecień 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów