Najmniejszy tranzystor na bazie indu i galu może zakończyć dominację krzemu

Naukowcy z MIT opracowali najmniejszy tranzystor jaki kiedykolwiek zbudowano. Do jego wykonania posłużył półprzewodnikowy związek na bazie indu i galu - InGaAs. Dni panowania krzemu w urządzeniach elektronicznych mogą być zatem policzone. Aby sprostać zapotrzebowaniu na coraz szybsze urządzenia komputerowe, wymiary tranzystorów są stale zmniejszane. Tranzystor opracowany w Massachusetts Institute of Technology ma zaledwie 22 nanometry grubości.

Posłuchaj
00:00

- Im więcej tranzystorów można upakować w chipie, tym mocniejszy będzie układ i będzie wykonywał więcej funkcji. Gdy jednak tranzystory krzemowe są redukowane do skali nanometrowej, obniżana jest też wartość prądu, który może być wytwarzany przez urządzenia, co ogranicza szybkość ich pracy. To prowadzi do obaw, że prawo Moore'a, czyli przewidywane przez założyciela firmy Intel, Gordona Moore, podwajanie co dwa lata liczby tranzystorów w mikroprocesorach, może właśnie dobiegać końca - mówił jeden ze współtwórców najmniejszego tranzystora, profesor Jesús del Alamo.

Aby utrzymać prawo Moore'a przy życiu, od pewnego czasu badane są alternatywy dla krzemu, które potencjalnie mogą wytwarzać większy prąd nawet podczas pracy przy mniejszych skalach. Jednym z takich materiałów jest związek indu i arsenku galu, który jest już używany w światłowodowych technologiach komunikacyjnych i radarowych, i wiadomo, że ma bardzo dobre właściwości elektryczne. Naukowcy z MIT udowodnili, że możliwe jest zbudowanie tranzystora polowego MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) o nanometrowej wielkości. Ten rodzaj tranzystorów jest najczęściej wykorzystywany w mikroprocesorach. - Pokazaliśmy, że można zrobić bardzo małe tranzystory MOSFET z arsenku indu i galu, mające doskonałe właściwości logiczne, które przesuną prawo Moore'a poza zasięg krzemu - mówił del Alamo.

Kolejnym krokiem naukowców będzie praca na rzecz poprawy parametrów elektrycznych, a tym samym szybkości tranzystora, poprzez eliminację niepożądanego oporu wewnętrznego. Kiedy zostanie to osiągnięte, ostatecznym celem będzie zmniejszenie wielkości bramki do poniżej 10 nanometrów.

źródło: Massachusetts Institute of Technology

Powiązane treści
Krzem, krzemogerman, InGaAs, a może nanorurki węglowe, czyli przyszłość branży półprzewodników
Nadchodzi eksplozja zastosowań układów mocy z azotku galu
Rozłam wśród akcjonariuszy przyczyną upadku Ammono
Tranzystory MOSFET kontra IGBT - świadomy wybór
Polscy i niemieccy naukowcy opracowali nowy tranzystor spinowy
Intel produkuje tranzystory 3-D w procesie 22nm
Tranzystory IGBT - konkurencja dla MOSFET-ów i BJT
Intel przekracza granicę 2 mld tranzystorów
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
Odporność danych wchodzi na nowy poziom: Veeam przejmuje Securiti AI
Komunikacja
Samsung i Google przyspieszają rewolucję XR
Mikrokontrolery i IoT
ME Embedded i Congatec - partnerstwo, które przyspieszy rozwój systemów automatyki i IoT
Aktualności
W czwartek w Warszawie startuje Evertiq Expo
Zasilanie
Eneris uruchomił w Siemiatyczach elektrownię PV
Produkcja elektroniki
Holenderski rząd przejmuje kontrolę nad firmą Nexperia
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Informacje z firm
Grupa RENEX zaprasza na targi Evertiq EXPO Warszawa 2025
Magazyn
Październik 2025
Magazyn
Wrzesień 2025

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów