Renesas Electronics podpisał porozumienie z firmą J-Devices o przeniesieniu do niej trzech fabryk półprzewodników o profilu produkcji typu back-end. Umowa ostateczna wraz z przekazaniem własności zakładów produkcyjnych ma być podpisana do czerwca br. J-Devices Corporation to największy japoński dostawca usług kontraktowej produkcji i testowania półprzewodników, oferuje m.in. projekty i charakterystyki obudów, sortowanie płytek półprzewodnikowych, montaż i testy końcowe. Do tej pory J-Devices dysponował w Japonii siedmioma własnym fabrykami półprzewodników.
Zgodnie z porozumieniem do producenta kontraktowego przechodzą zakłady produkcyjne w mieście Hakodate, należące do grupy Renesas Northern Japan, w Fukui (grupa Renesas Kansai Semiconductor), w Kumamoto (Renesas Kyushu) oraz cały oddział Hokkai Electronics będący częścią Renesas Northern Japan. Transakcja to kolejny etap restrukturyzacji japońskich fabryk Renesasu, prowadzonej, aby podwyższyć ich rentowność. W ramach tego procesu Renesas z jednej strony zwiększa outsourcing działalności produkcyjnej, a z drugiej przenosi produkcję do swoich zakładów poza Japonią.
W ofercie Renesasu w dalszym ciągu dostępne będą produkty wytwarzane w przeniesionych zakładach, a J-Devices zapewni ich niezmiennie wysoką jakość oraz terminowość dostaw. Uzgadniana transakcja ma na celu utworzenie długoterminowej relacji strategicznego partnerstwa pomiędzy firmami w dziedzinie produkcji układów. Dzięki temu J-Devices rozwinie skalę prowadzonej działalności, w tym rozszerzy ofertę produktową, oraz uzyska dostęp do technologii Renesasu, co umożliwi mu tak poprawę jakości produktów, jak i obniżenie kosztów wytwarzania.
Marcin Tronowicz
» Renesas rozszerza dystrybucyjną sieć w Rosji
» Renesas zamknie główną fabrykę chipów w Japonii
» Renesas likwiduje przejęty od Nokii dział modemów bezprzewodowych
» Renesas dostanie od rządu 1,5 mld dolarów dofinansowania
» Renesas poprawił obroty i zysk w III kwartale 2013 r.
» Renesas stawia na aplikacje inteligentne
» Renesas planuje zredukować 14000 etatów
» Renesas utrzymał swoją dominację na rynku mikrokontrolerów
» Murata przejmuje oddział wzmacniaczy dużej mocy Renesasa
imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.
więcej na: www.imec-int.com
