wersja mobilna
Online: 539 Wtorek, 2018.06.19

Biznes

Renesas sprzedaje fabryki półprzewodników firmie J-Devices

czwartek, 04 kwietnia 2013 07:50

Renesas Electronics podpisał porozumienie z firmą J-Devices o przeniesieniu do niej trzech fabryk półprzewodników o profilu produkcji typu back-end. Umowa ostateczna wraz z przekazaniem własności zakładów produkcyjnych ma być podpisana do czerwca br. J-Devices Corporation to największy japoński dostawca usług kontraktowej produkcji i testowania półprzewodników, oferuje m.in. projekty i charakterystyki obudów, sortowanie płytek półprzewodnikowych, montaż i testy końcowe. Do tej pory J-Devices dysponował w Japonii siedmioma własnym fabrykami półprzewodników.

Zgodnie z porozumieniem do producenta kontraktowego przechodzą zakłady produkcyjne w mieście Hakodate, należące do grupy Renesas Northern Japan, w Fukui (grupa Renesas Kansai Semiconductor), w Kumamoto (Renesas Kyushu) oraz cały oddział Hokkai Electronics będący częścią Renesas Northern Japan. Transakcja to kolejny etap restrukturyzacji japońskich fabryk Renesasu, prowadzonej, aby podwyższyć ich rentowność. W ramach tego procesu Renesas z jednej strony zwiększa outsourcing działalności produkcyjnej, a z drugiej przenosi produkcję do swoich zakładów poza Japonią.

W ofercie Renesasu w dalszym ciągu dostępne będą produkty wytwarzane w przeniesionych zakładach, a J-Devices zapewni ich niezmiennie wysoką jakość oraz terminowość dostaw. Uzgadniana transakcja ma na celu utworzenie długoterminowej relacji strategicznego partnerstwa pomiędzy firmami w dziedzinie produkcji układów. Dzięki temu J-Devices rozwinie skalę prowadzonej działalności, w tym rozszerzy ofertę produktową, oraz uzyska dostęp do technologii Renesasu, co umożliwi mu tak poprawę jakości produktów, jak i obniżenie kosztów wytwarzania.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

wtorek, 19 czerwca 2018 12:05

imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.

więcej na: www.imec-int.com