wersja mobilna
Online: 564 Wtorek, 2018.06.19

Biznes

UE i Chiny rozwiązały spór handlowy o panele słoneczne

poniedziałek, 19 sierpnia 2013 07:48

Unia Europejska i Chiny znalazły kompromis w sporze handlowym dotyczącym importu chińskich paneli słonecznych, poinformował unijny komisarz ds. handlu Karel De Gucht. Po sześciu tygodniach negocjacji chińscy eksporterzy paneli słonecznych zobowiązali się utrzymywać ceny powyżej minimalnego poziomu. Według unijnych źródeł ta minimalna cena ma wynosić 56 eurocentów na jeden wat.

Konflikt o dumpingowe ceny chińskich modułów był najpoważniejszym sporem handlowym między Chinami a UE. Na początku czerwca Komisja Europejska nałożyła na importowane z Państwa Środka moduły tymczasowe cła karne w wysokości 11,8% ceny towaru przez pierwsze dwa miesiące. Po 6 sierpnia stawka ta miała wzrosnąć do 47,6%, jeśli nie znalezionoby polubownego rozwiązania. UE mogłaby wprowadzić stałe cła zaporowe na okres 5 lat po pół roku obowiązywania tymczasowych ceł karnych. Przeciwko takiej decyzji były tymczasem rządy kilku państw, w tym Niemiec.

Komisarz De Gucht argumentował w czerwcu, że dumpingowe ceny chińskich paneli słonecznych bardzo szkodzą europejskim firmom z branży solarnej i są zagrożeniem dla około 25 tys. miejsc pracy. Jednak według organizacji 40 europejskich producentów ProSun, która złożyła skargę do KE, wskutek chińskiego dumpingu zamknięto ponad 60 europejskich fabryk związanych z tą branżą. ProSun odrzuca też wynegocjowany przez KE kompromis twierdząc, że proponowane rozwiązanie jest niezgodne z prawem i "skandaliczne", bo uzgodnione z Pekinem minimalne ceny paneli słonecznych nadal są na poziomie dumpingowym.

źródło: PAP

 

World News 24h

wtorek, 19 czerwca 2018 12:05

imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.

więcej na: www.imec-int.com