wersja mobilna
Online: 507 Piątek, 2018.01.19

Biznes

TSMC ogłosiło uruchomienie procesu 16 nm

piątek, 15 maja 2015 07:52

Firma TSMC zapowiedziała rozpoczęcie produkcji układów w kompaktowej, niskonapięciowej wersji plus (+) 16-nanometrowego procesu FinFET oraz budowę nowej fabryki krzemu bazującej na procesie 10 nm. W rok po uruchomieniu produkcji seryjnej półprzewodników w technologii 20 nm, TSMC chce zacząć wytwarzać układy w procesie 16FF+ już w połowie bieżącego roku. Firma twierdzi, że tak wytworzone układy są bardziej wydajne od chipów konkurencyjnych oraz pobierają o połowę niższą moc w porównaniu do produkowanych w technologii 20 nm. TSMC zakłada, że do końca roku sfinalizuje ponad 50 projektów testowych układów, w tym procesory aplikacyjne, graficzne, sieciowe i układy dla motoryzacji.

Przykładowo, nowo projektowany ARM Cortex-A72 wykonany w procesie 16FF+ ma w porównaniu do Corteksa-A15 (wytworzonego najprawdopodobniej w procesie 28 nm) oferować 3,5-krotnie większą prędkość przetwarzania, przy poborze mocy niższym o 75%. W przyszłym roku natomiast, ruszyć mają prace przy budowie nowego zakładu produkcji płytek w procesie 10 nm, który ma być uruchomiony (jak już informowaliśmy) w roku 2017.

 

World News 24h

piątek, 19 stycznia 2018 09:53

A team of electrical engineers at The University of Texas at Austin, in collaboration with Peking University scientists, has developed the thinnest memory storage device with dense memory capacity, paving the way for faster, smaller and smarter computer chips for everything from consumer electronics to big data to brain-inspired computing. “For a long time, the consensus was that it wasn't possible to make memory devices from materials that were only one atomic layer thick,” said Deji Akinwande, associate professor in the Cockrell School of Engineering’s Department of Electrical and Computer Engineering. “With our new ‘atomristors,’ we have shown it is indeed possible.”

więcej na: news.utexas.edu