Jeszcze w 2016 roku Micron rozpocznie masową produkcję pamięci 3D NAND flash

Układy 3D wypierają odpowiedniki 2D ze względu na wyższą wydajność, pojemności oraz żywotność. Ponadto technologia 3D może pomóc dostawcom obniżać koszty i zwiększać możliwości produkcyjne. Micron twierdzi, że koszt wytwarzania układów w architekturze 3D NAND będzie co najmniej 20% niższy niż w przypadku 2D.

Inicjatywę produkcji chipów 3D NAND podjął już Samsung, a następnie Toshiba, SanDisk i Hynix. Firmy Intel i Micron na razie nie dotrzymują kroku rywalom. Z uwagi na zalety układów 3D pozostaje tylko kwestią czasu ich masowe rozpowszechnienie i zastąpienie chipów 2D.

źródo: TechNews

Powiązane treści

Trwa wyścig technologiczny producentów pamięci NAND flash

Micron zainwestuje kolejny miliard dolarów w technologiczną migrację

Prognozy wzrostu: dla rynku NAND flash - 6%, dla rynku dysków SSD - 60%

Hynix rozpocznie produkcję 72-warstwowych chipów 3D NAND

W 2017 roku ceny chipów NAND Flash będą nadal rosły

Micron finalizuje warte 4 mld dolarów przejęcie Inotery

Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka

Projektowanie i badania

Arrow Electronics uruchamia globalne centra doświadczeń, aby przyspieszyć wdrażanie sztucznej inteligencji i chmury obliczeniowej

Projektowanie i badania

Element14 Community zaprasza inżynierów na cykl bezpłatnych webinariów technicznych

Komponenty

Samsung, SK hynix i Micron pozwane w USA w sprawie domniemanego ograniczania podaży DRAM

Komponenty

Mouser Electronics poszerza ofertę automatyki przemysłowej o dziewięciu nowych producentów

Komponenty

Micron i General Motors zawarli strategiczną umowę dotyczącą dostaw pamięci dla pojazdów nowej generacji

Elektromechanika

MyDefence rozwija technologie antydronowe i wzmacnia bezpośrednią obecność na polskim rynku obronnym

Zobacz więcej z tagiem: Artykuły

Mikrokontrolery PIC32CM PL10 - wydajność 32-bitowego rdzenia Arm Cortex-M0+ i odporność na zakłócenia w projektach 5 V

Firma Microchip Technology prezentuje nową rodzinę mikrokontrolerów (MCU) PIC32CM PL10, która wprowadza wydajność 32-bitowych rdzeni Arm® Cortex®-M0+ do systemów zasilanych napięciem 5 V. Dzięki zgodności wyprowadzeń z 8-bitowymi rodzinami układów AVR® Dx, nowa seria stanowi doskonałą propozycję dla inżynierów poszukujących łatwej ścieżki migracji z architektury 8-bitowej na 32-bitową, pozbawionej konieczności poważnego przebudowywania układów zasilania na płycie czy uczenia się od nowa obsługi układów peryferyjnych.