wersja mobilna
Online: 255 Sobota, 2018.06.23

Biznes

Trwa wyścig technologiczny producentów pamięci NAND flash

środa, 05 lipca 2017 12:54

Nie tylko Samsung Electronics, który przewodzi na światowym rynku układów NAND flash, ale także Toshiba, Western Digital i SK Hynix przyspieszają rozwój zaawansowanych technologii trójwymiarowych chipów pamięci. Globalni producenci chipów NAND flash dokładają starań, by zapewnić bezpieczeństwo i wysoką jakość technologii 3D, ponieważ do roku 2021 światowy rynek tych układów, z uwagi na zapotrzebowanie na półprzewodnikowe dyski SSD oraz smartfony, wart będzie około 50 mld dolarów.

Toshiba, drugi pod względem wielkości producent pamięci NAND flash na świecie, planuje w drugiej połowie bieżącego roku udostępnić prototypowe próbki 96-warstwowych układów wykorzystujących technologię TLC - Triple-level Cell. Masowa produkcja nowych układów w wersji 256-gigabitowej ruszyć ma w zakładach Fab 5 i Fab 6 w Yokkaichi, począwszy od roku 2018. W niedalekiej przyszłości firma zastosuje 96-warstwową technologię do produktów o większej pojemności, takich jak chipy 512 Gb oraz technologia QLC (quadruple-level cell). Ponadto Toshiba zaprezentuje w sierpniu próbkę 64-warstwowej pamięci QLC 3D flash - pierwszego na świecie chipa QLC o największej pojemności 768 Gb.

Western Digital - amerykański partner Toshiby - udostępni w drugiej połowie tego roku chipy 3D NAND z 96 warstwami i 256 Gb pojemności, których produkcję pilotażową rozpocznie w przyszłym roku.

Firma Samsung Electronics opracowała już 96-warstwową technologię 3D NAND i z końcem bieżącego roku uruchomić ma wytwarzanie wykorzystujących ją układów. Samsung od końca ubiegłego roku, jako pierwszy na świecie, prowadzi na masową skalę produkcję 64-warstwowej pamięci flash TLC 3D z 256 Gb pojemności. Pod koniec tego roku zamierza zwiększyć miesięczny wolumen jej dostaw o ponad 50%.

SK Hynix w kwietniu opracował 72-warstwowy chip 256 Gb pamięci flash TLC 3D NAND i rozpocznie produkcję masową już w trzecim kwartale 2017 roku. W drugiej połowie przyszłego roku firma chce rozpocząć masową produkcję pamięci 96-warstwowych. Gdy koreańsko-amerykańsko-japońskie konsorcjum, w skład którego wchodzi SK Hynix, zdoła pomyślnie sfinalizować transakcję dotyczącą biznesu Toshiby, SK Hynix będzie w stanie technologicznie dogonić liderów rynku NAND flash poprzez techniczne powiązania z Toshibą.

źródło: BusinessKorea

 

World News 24h

piątek, 22 czerwca 2018 20:04

Samsung Electronics announced that it has launched the industry’s highest capacity NVMe solid state drive based on the incredibly small Next-generation Small Form Factor - an eight-terabyte NF1 SSD. The new 8TB NVMe NF1 SSD has been optimized for data-intensive analytics and virtualization applications in next-generation data centers and enterprise server systems. “By introducing the first NF1 NVMe SSD, Samsung is taking the investment efficiency in data centers to new heights,” said Sewon Chun, senior vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “We will continue to lead the trend toward enabling ultra-high density data centers and enterprise systems by delivering storage solutions with unparalleled performance and density levels.”

więcej na: news.samsung.com