Toshiba, drugi pod względem wielkości producent pamięci NAND flash na świecie, planuje w drugiej połowie bieżącego roku udostępnić prototypowe próbki 96-warstwowych układów wykorzystujących technologię TLC - Triple-level Cell. Masowa produkcja nowych układów w wersji 256-gigabitowej ruszyć ma w zakładach Fab 5 i Fab 6 w Yokkaichi, począwszy od roku 2018. W niedalekiej przyszłości firma zastosuje 96-warstwową technologię do produktów o większej pojemności, takich jak chipy 512 Gb oraz technologia QLC (quadruple-level cell). Ponadto Toshiba zaprezentuje w sierpniu próbkę 64-warstwowej pamięci QLC 3D flash - pierwszego na świecie chipa QLC o największej pojemności 768 Gb.
Western Digital - amerykański partner Toshiby - udostępni w drugiej połowie tego roku chipy 3D NAND z 96 warstwami i 256 Gb pojemności, których produkcję pilotażową rozpocznie w przyszłym roku.
Firma Samsung Electronics opracowała już 96-warstwową technologię 3D NAND i z końcem bieżącego roku uruchomić ma wytwarzanie wykorzystujących ją układów. Samsung od końca ubiegłego roku, jako pierwszy na świecie, prowadzi na masową skalę produkcję 64-warstwowej pamięci flash TLC 3D z 256 Gb pojemności. Pod koniec tego roku zamierza zwiększyć miesięczny wolumen jej dostaw o ponad 50%.
SK Hynix w kwietniu opracował 72-warstwowy chip 256 Gb pamięci flash TLC 3D NAND i rozpocznie produkcję masową już w trzecim kwartale 2017 roku. W drugiej połowie przyszłego roku firma chce rozpocząć masową produkcję pamięci 96-warstwowych. Gdy koreańsko-amerykańsko-japońskie konsorcjum, w skład którego wchodzi SK Hynix, zdoła pomyślnie sfinalizować transakcję dotyczącą biznesu Toshiby, SK Hynix będzie w stanie technologicznie dogonić liderów rynku NAND flash poprzez techniczne powiązania z Toshibą.
źródło: BusinessKorea
