Samsung i SK Hynix odraczają plany zwiększania mocy produkcyjnych
| Gospodarka Produkcja elektronikiWedług źródeł branżowych Samsung Electronics i SK Hynix zamierzają odroczyć plany rozbudowy zdolności produkcyjnych, ponieważ spadek popytu wśród klientów najprawdopodobniej spowoduje w pierwszej połowie 2019 roku obniżenie cen pamięci DRAM i NAND Flash. W trzecim kwartale bieżącego roku na światowym rynku układów NAND flash utrzymuje się nadpodaż, mimo że okres ten był tradycyjnym szczytem sezonu.
Duże dostawy 64- i 72-warstwowych chipów 3D NAND flash w połączeniu z ograniczonym wzrostem popytu, ze względu na nasycony rynek notebooków i smartfonów, są identyfikowane jako czynniki obniżające ceny pamięci. Jak zauważają źródła, łańcuch dostaw dla przemysłu zalewany jest niestandardowymi chipami NAND flash, co ma dalszy negatywny wpływ na ceny układów. Szacuje się, że ceny kontraktowe na pamięci NAND flash spadną w trzecim kwartale bardziej niż oczekiwano - o 10-15% - i o kolejne 15% w kwartale czwartym. Również ceny kontraktowe układów DRAM wykazują oznaki spadku i oczekuje się, że zaczną one spadać w czwartym kwartale, gdy rynek będzie już nadmiernie zaopatrzony. Presja spadkowa dotycząca cen DRAM i NAND flash ma się utrzymać w pierwszej połowie 2019 r.
Jak podają źródła, lider branży - Samsung - który dostarczał chipy 3D NAND do swoich własnych dysków SSD i innych produktów, zaczął w trzecim kwartale 2018 roku dostarczać pamięć odbiorcom zewnętrznym. Firma spowolniła tempo zwiększania zdolności produkcyjnych chipów 3D NAND i nowe moce produkcyjne prawdopodobnie pojawią się w pierwszej połowie 2019 roku.
Koreańska firma wstrzymała także plany rozbudowy zdolności wytwórczych dla chipów 1ynm DRAM w swoich fabrykach w Hwaseong i Pyeongtaek. Wcześniejsze plany mówiły o uzyskaniu możliwości produkcji dodatkowych 30 tys. płytek krzemowych dla pamięci DRAM miesięcznie, począwszy od trzeciego kwartału bieżącego roku.
Źródła branżowe zauważają, że SK Hynix postanowił zwolnić tempo realizacji swojego nowego projektu, mającego na celu rozszerzenie pojemności chipów 3D NAND.
źródło: DigiTimes