Produkcja na skalę masową ruszyć ma w pierwszym kwartale przyszłego roku, dzięki czemu 2019 będzie pierwszym rokiem wytwarzania przez Chińczyków własnych chipów. Ponieważ chińscy dostawcy będą potrzebowali czasu, aby się rozwinąć, krajobraz globalnego rynku DRAM nie zmieni się natychmiast po ich wejściu na rynek. Zarówno dla sektora DRAM, jak i NAND, chińskie firmy półprzewodnikowe są wciąż nowymi graczami, którzy mogą napotkać więcej wyzwań w porównaniu z uznanymi twórcami układów pamięci, więc istnieje możliwość, że będą rozwijać się wolniej niż oczekiwano, a już mają opóźnienia w swoich harmonogramach.
Jeśli chodzi o harmonogramy trzech chińskich dostawców, to budowa fabryki firmy Innotron została ukończona w czerwcu 2017 r., a instalacja sprzętu miała miejsce w 3 kwartale 2017. Na razie firmy Innotron i JHICC odłożyły produkcję próbną do 3 kwartału bieżącego roku i wstępnie zaplanowali uruchomienie masowej produkcji na pierwszy kwartał roku 2019. Innotron chce konkurować z najlepszymi dostawcami DRAM, wybierając układy LPDDR4 8Gb jako swój pierwszy produkt. Istnieje jednak prawdopodobieństwo, że Innotron będzie miał problemy z naruszeniem patentu. Aby tego uniknąć Innotron może sprzedawać swoje produkty na rynku krajowym.
Firma JHICC, która zajmuje się produkcją specjalnych pamięci DRAM, przedstawiła w lipcu 2016 r. plan zainwestowania 5,3 miliarda dolarów w budowę w Jinjiang, w prowincji Fujian, zakładu produkującego 12-calowe płytki krzemowe. JHICC przełożył start produkcji próbnej swoich chipów DRAM do trzeciego kwartału 2018, a ich masową produkcję do pierwszego kwartału kolejnego roku.
W zakresie wytwarzania układów NAND Flash w Chinach firma YMTC poczyniła pierwsze kroki pod koniec grudnia 2016 r. Trzy jej zakłady produkcyjne układów 3D-NAND Flash są obecnie budowane zgodnie z trzyetapowym planem. Budowa pierwszego zakładu została zakończona we wrześniu 2017 r., a instalacja sprzętu produkcyjnego rozpocznie się w trzecim kwartale bieżącego roku. Zakład ten ma rozpocząć produkcję próbną w czwartym kwartale tego roku. W początkowym okresie eksploatacji będzie on produkował 32-warstwowe pamięci MLC 3D-NAND Flash, a jego zdolność produkcyjna nie powinna przekroczyć 10 tys. miesięcznie. Budowa zakładów przypisanych do drugiej i trzeciej fazy planu ma być kontynuowana w powiązaniu z pracami YMTC zmierzającymi do udoskonalenia swojego układu 64-warstwowego.
Zdaniem DRAMeXchange chińscy dostawcy DRAM mogą być w stanie działać na pełnych obrotach w latach 2020-2021, gdy ich produkty osiągną dojrzałość. Przewiduje się, że całkowita zdolność produkcyjna JHICC i Innotrona osiągnie wtedy 250 tys. płytek krzemowych miesięcznie. Wówczas firmy te zaczną mieć pewien wpływ na globalny rynek DRAM. Po zakończeniu opracowywania swoich produktów 64-warstwowych YMTC może zacząć znacznie zwiększać liczbę produkowanych płytek krzemowych i to przyspieszenie z kolei może w ciągu najbliższych trzech do pięciu lat mieć ogromny wpływ na ogólną podaż rynkową pamięci NAND Flash.
źródło: CTimes
