W 2017 roku ogólny popyt na urządzenia półprzewodnikowe utrzymywał się na wysokim poziomie przez cały rok, co wynikało z coraz szerszego stosowania komponentów elektronicznych we wszystkich aplikacjach, szczególnie w urządzeniach mobilnych i centrach danych. Jak twierdzą analitycy, zarówno rynek DRAM, jak i NAND był w ubiegłym roku zaspokajany w sposób niedostateczny, co doprowadziło do wzrostu cen oraz rekordowych przychodów i zysków dostawców pamięci.
Trendy w zakresie sztucznej inteligencji i uczenia maszynowego, mobilności i łączności są cały czas korzystne dla rynków DRAM i NAND, i prawdopodobnie spowodują, że pamięci będą nadal zwiększać swój udział w całym rynku półprzewodników. Yole Group przewiduje, że w ciągu najbliższych pięciu lat współczynnik CAGR w obszarze pamięci DRAM będzie wynosił 22%. Równolegle oczekuje się, że rynek NAND wyznaczy kolejny rekord przychodów w 2018 r., przed zatrzymaniem wzrostów w roku 2019.
Konkurencja wśród dostawców układów NAND ulega nadal dynamicznym zmianom. Samsung przygotowuje się do uruchomienia masowej produkcji w fabryce Pyeongtaek, Intel staje się niezależnym dostawcą z dużym potencjałem w Chinach, a biznes pamięci Toshiby przejmuje konsorcjum kierowane przez Bain Capital. Tymczasem na horyzoncie pojawia się nowy gracz - chińska firma Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), która grozi zakłóceniem status quo.
 |
 |
| Dynamika na rynkach DRAM i NAND w ujęciu kwartalnym, źródło: Yole | |
źródło: Yole Développement
