Rynkowa dominacja Samsunga w zakresie NAND flash związana jest z szybkim rozwojem technologicznym firmy. W 2013 roku Koreańczycy jako pierwsi na świecie uruchomili masową produkcję pamięci 3D NAND flash. W grudniu ubiegłego roku Samsung rozpoczął produkcję 64-warstwowych chipów 3D NAND i od zeszłego miesiąca oferuje układy 512 Gb.
Tymczasem Toshiba przechodzi trudny okres rosnących inwestycji w pamięci 3D NAND oraz w rozwój technologii zapewniającej masową produkcję. Firma planuje rozbudowę fabryki 3D NAND w Yokkaichi w prefekturze Shiga, inwestując 800 mld jenów, ale są wątpliwości co do możliwości realizacji tego planu z uwagi na to, że Toshiba chce sprzedać swój oddział półprzewodników w celu zrekompensowania 700 mld jenów straty, która jest efektem zaangażowania firmy w energetykę jądrową w Stanach Zjednoczonych.
źródło: BusinessKorea
