Pamięć GDDR6 16 Gb podwaja pojemność 8-gigabitowej pamięci GDDR5, wykonywanej w technologii 20 nm. Układ GDDR6 działa z szybkością 18 gigabitów na sekundę (Gbps pin speed), co stanowi ponad dwukrotny wzrost w stosunku do układu 8 Gb GDDR5 funkcjonującego z prędkością 8 Gbps.
Dzięki nowatorskiemu projektowi obwodów niskonapięciowych, nowa pamięć GDDR6 pracuje z napięciem 1,35 V, zużywając około 35% mniej energii w porównaniu z powszechnie stosowanymi pamięciami GDDR5 działającymi przy napięciu 1,55 V. Chipy GDDR6 16 Gb zapewniają również podniesienie o 30% wydajności produkcji w stosunku do uzyskiwanej przy wytwarzaniu układów GDDR5 8 Gb.
Pamięci GDDR6 16 Gb Samsunga, dzięki szybkiemu wprowadzeniu do produkcji, będą mogły być szeroko stosowane w szybko rozwijających się dziedzinach, takich jak przetwarzanie wideo 8K Ultra HD, rzeczywistość wirtualna (VR) i rozszerzona (AR) oraz sztuczna inteligencja. W ciągu najbliższych kilku lat Samsung spodziewa się radykalnie przyspieszyć rozwój rynku pamięci premium.
źródło: Business Wire
