Według badań rynkowych firmy IC Insights z 15 listopada, inwestycje Samsunga w infrastrukturę półprzewodnikową osiągną w tym roku 26 miliardów dolarów. To ponad dwukrotnie więcej niż 11,3 mld dolarów wydane w ubiegłym roku. Firma Samsung Electronics ogłosiła, że w bieżącym roku w sektorze półprzewodników pozyska 26,62 miliarda dolarów.
IC Insights prognozuje, że całkowita kwota inwestycji w infrastrukturę w branży półprzewodników wyniesie w 2017 roku 90,8 mld dolarów, co stanowi wzrost o 35% w stosunku do roku ubiegłego. Oczekuje się, że wydatki Samsunga będą stanowić 28,6% całości. Firma najprawdopodobniej zainwestuje w zwiększenie mocy produkcyjnych w nowej fabryce w Pyeongtaek działającej w sektorze 3D NAND flash, przeprowadzi modernizację technologiczną procesów produkcji układów DRAM oraz rozszerzy produkcję kontraktową układów 10-nanometrowych.
Jak przewiduje IC Insights, prowadzone na dużą skalę inwestycje Samsunga spowodują nadpodaż chipów 3D NAND flash i mogą również zainicjować inwestycje konkurentów, takich jak SK Hynix, Toshiba, Micron i Intel. Zatem kroki czynione przez koreańskiego giganta mogą, ale nie muszą przyczynić się do zwiększenia jego rynkowego udziału.
źródło: BusinessKorea
