IBM opracował 2-nanometrowy chip bazujący na tranzystorach GAA

IBM opracował 2-nanometrowy proces technologiczny bazujący na tranzystorach z bramką typu GAA. Rozwiązanie to zapewnia gęstość struktur IC na poziomie 333 mln tranzystorów/mm². Pierwszy taki chip został zaprojektowany i wykonany w ośrodku badawczym IBM zlokalizowanym w mieście Albany, w stanie Nowy Jork. 

Posłuchaj
00:00

Proces ten, w porównaniu do 7 nm, oferuje wydajność wyższą o 45% przy tym samym zużyciu energii. W porównaniu do wysokiej klasy 7-nanometrowego procesu jest to nawet o 75% mniej energii. Trójwarstwowy tranzystor z bramką GAA charakteryzuje się wysokością 75 nm, szerokością 40 nm, a poszczególne nanopowłoki mają wysokość 5 nm. Są one oddzielone 5-nanometrowymi separatorami. Podziałka bramek wynosi 44 nm, a ich długość 12 nm.

W projekcie zastosowano dolne dielektryczne kanały izolacyjne, co umożliwia uzyskanie bramki o długości 12 nm, a wewnętrzne separatory są wykonane w suchym procesie drugiej generacji, który umożliwia rozwój nanopłytek. IBM wykorzystuje metody EUV w niektórych częściach procesu FEOL co umożliwia zastosowanie EUV na wszystkich etapach projektu dla kluczowych warstw.

Źródło: Electronics Weekly

Powiązane treści
IBM razem z indyjskim instytutem otwierają ośrodek R&D
IBM rozpocznie komercjalizację komputerów kwantowych w ciągu 3-5 lat
TSMC uruchomi próbną produkcję w litografii 3 nm
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
IBM likwiduje, a Microsoft ogranicza działalność w Rosji
Siemens Digital przejmuje Fractal Technologies
Samsung odbierze Intelowi pozycję lidera dostawców IC
Wojskowa Akademia Techniczna rozszerza współpracę z firmą IBM
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Zasilanie
Infineon rozszerza ofertę modułów mocy EasyPACK CoolGaN dla aplikacji wysokonapięciowych
Aktualności
Już za tydzień Warsaw Industry Automatica 2025
Aktualności
Nowa wizja transformacji cyfrowej – COCUS i Panasonic
Produkcja elektroniki
Popyt na sprzęt do produkcji wyznacznikiem stanu branży
Zasilanie
Nowy moduł Semikron Danfoss z tranzystorami ROHM 2kV SiC MOSFET zwiększa wydajność systemów solarnych SMA
Projektowanie i badania
IQM zainstaluje pierwszy w Polsce komputer kwantowy
Zobacz więcej z tagiem: Projektowanie i badania
Gospodarka
IQM zainstaluje pierwszy w Polsce komputer kwantowy
Konferencja
Konferencja SEAP: cyfryzacja w projektowaniu i prefabrykacji szaf sterowniczych
Konferencja
Roadshow Altium Designer
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów