IBM opracował 2-nanometrowy chip bazujący na tranzystorach GAA

IBM opracował 2-nanometrowy proces technologiczny bazujący na tranzystorach z bramką typu GAA. Rozwiązanie to zapewnia gęstość struktur IC na poziomie 333 mln tranzystorów/mm². Pierwszy taki chip został zaprojektowany i wykonany w ośrodku badawczym IBM zlokalizowanym w mieście Albany, w stanie Nowy Jork. 

Posłuchaj
00:00

Proces ten, w porównaniu do 7 nm, oferuje wydajność wyższą o 45% przy tym samym zużyciu energii. W porównaniu do wysokiej klasy 7-nanometrowego procesu jest to nawet o 75% mniej energii. Trójwarstwowy tranzystor z bramką GAA charakteryzuje się wysokością 75 nm, szerokością 40 nm, a poszczególne nanopowłoki mają wysokość 5 nm. Są one oddzielone 5-nanometrowymi separatorami. Podziałka bramek wynosi 44 nm, a ich długość 12 nm.

W projekcie zastosowano dolne dielektryczne kanały izolacyjne, co umożliwia uzyskanie bramki o długości 12 nm, a wewnętrzne separatory są wykonane w suchym procesie drugiej generacji, który umożliwia rozwój nanopłytek. IBM wykorzystuje metody EUV w niektórych częściach procesu FEOL co umożliwia zastosowanie EUV na wszystkich etapach projektu dla kluczowych warstw.

Źródło: Electronics Weekly

Powiązane treści
IBM razem z indyjskim instytutem otwierają ośrodek R&D
IBM rozpocznie komercjalizację komputerów kwantowych w ciągu 3-5 lat
TSMC uruchomi próbną produkcję w litografii 3 nm
Tranzystory mocy zdrożeją w 2022 roku o 11%
IBM likwiduje, a Microsoft ogranicza działalność w Rosji
Siemens Digital przejmuje Fractal Technologies
Samsung odbierze Intelowi pozycję lidera dostawców IC
Wojskowa Akademia Techniczna rozszerza współpracę z firmą IBM
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komponenty
RS przejmuje Distrelec - powstaje nowy potentat dystrybucji przemysłowej
Komponenty
Generatywna sztuczna inteligencja zmienia globalny rynek procesorów
Aktualności
Samsung otwiera w Warszawie największe centrum biznesowe w Europie
Aktualności
Samsung i OpenAI nawiązują strategiczne partnerstwo na rzecz rozwoju globalnej infrastruktury AI
Produkcja elektroniki
Powstaje gigant wart 4,4 mld dolarów - czwarty co do wielkości dostawca sprzętu do produkcji płytek półprzewodnikowych w USA
Optoelektronika
Smartwatche napędzają rozwój wyświetlaczy Micro LED
Zobacz więcej z tagiem: Projektowanie i badania
Technika
Anteny fraktalne
Technika
Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć
Gospodarka
Koszt projektowania chipów rośnie wykładniczo. Czy sztuczna inteligencja to zatrzyma?

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów