Renesas uruchomi fabrykę tranzystorów IGBT
| Gospodarka Produkcja elektronikiRenesas zainwestuje 90 mld jenów (700 mln dolarów) w uruchomienie fabryki 300 mm płytek dla półprzewodników mocy, takich jak tranzystory IGBT. Zakład zlokalizowany będzie w Kai City, w prefekturze Yamanashi. W tym miejscu znajduje się zamknięty w październiku 2014 roku zakład Kofu, należący do firmy. Powstawały tam 150- i 200-milimetrowe płytki krzemowe. Na terenie obiektu znajduje się cleanroom o powierzchni 18 tys. m². Zakład zostanie uruchomiony w 2024 roku.
Firma badawcza Fuji Keizai oszacowała, że światowy rynek energoelektroniki osiągnie wartość 4 bln jenów w 2030 roku, czyli o 40% więcej niż w roku 2020. Półprzewodniki mocy mają wpływ na efektywność energetyczną urządzeń, a zapotrzebowanie na nie w sektorze motoryzacyjnym gwałtownie rośnie. Japońscy producenci, tacy jak Toshiba, Fuji Electric i Mitsubishi Electric, również inwestują w zwiększenie produkcji, podczas gdy główny producent części samochodowych Denso ogłosił partnerstwo z TSMC.
źródło: Electronics Weekly, Nikkei Asia
