Winbond i Nanya otworzą nowe fabryki pamięci DRAM

| Gospodarka Aktualności

Według źródeł branżowych, wraz z rosnącym zapotrzebowaniem na pamięci o większej pojemności, tajwańscy producenci specjalistycznych układów DRAM zwiększą produkcję, dążąc do powiększenia udziału w rynku. Winbond Electronics zwiększy dostawy produktów 2-4 Gb po otwarciu nowej 12-calowej fabryki w Kaohsiung, w czwartym kwartale 2022 r. Tymczasem Nanya Technology 23 czerwca rozpocznie budowę 12-calowej fabryki w New Taipei.

Winbond i Nanya otworzą nowe fabryki pamięci DRAM

Ceny specjalnych pamięci DRAM w drugim kwartale wzrosły tylko o 5% - nie tak bardzo, jak wcześniej szacowano. Klienci prawdopodobnie utrzymają poziom zamówień długoterminowych, a równolegle - po zniesieniu blokady w Szanghaju - logistyka w Chinach może się jeszcze poprawiać. Przewiduje się, że w trzecim kwartale ceny pamięci DDR3 pozostaną na niezmienionym poziomie, ale niektórzy dostawcy mogą obniżyć ceny jednostkowe w obliczu spadającego popytu na elektronikę użytkową.

Źródła twierdzą, że chociaż odbiorcy pamięci DDR3 mogliby przechodzić na linię DDR4, takie zmiany wiązałyby się z nowymi projektami i certyfikatami, które mogą być czasochłonne. Dlatego szacuje się, że dostawcy będą nadal zwiększać pojemność pamięci DDR3, a w ciągu dwóch lub trzech lat tylko w połowie zastosowań układów DDR3 wykorzystane będą DDR4.

Specjalistyczne pamięci DRAM są używane w wielu obszarach, takich jak elektronika użytkowa, samochody, urządzenia sieciowe i urządzenia przenośne. W szczególności, w 2022 r. popyt na urządzenia sieciowe i serwery ma być bardzo duży.

Winbond zapowiedział, że jego fabryka w Kaohsiung wykorzysta technologię 25S-nm, aby zwiększyć wielkość produkcji. Dostawy DDR3 stanowią około 30% całkowitych przychodów z DRAM, które według prognoz mają osiągnąć 50% do 2024 r., podała firma. Zgodnie z planem Winbonda, zdolność produkcyjna nowej fabryki wzrośnie z początkowych 24 tys. płytek do 34 tys., a następnie - po 2024 roku - do 38-40 tys. Po procesie 25S-nm Winbond przejdzie na proces 20 nm i wprowadzi go do masowej produkcji pod koniec 2024 lub 2025 roku, kiedy to planuje wprowadzić na rynek produkty DDR4. Firma obiecała również, że będzie kontynuować produkcję pamięci DDR3 w ciągu najbliższych 10 lat.

Nanya zamierza zaprezentować zaprojektowane przez siebie pamięci DRAM 10 nm, które wykorzysta w pilotażowych produktach 8 Gb DDR4. Firma zmniejszy produkcję układów w technologii 30 nm, przechodząc do rozwoju DDR5. Produkty klasy 10 nm stanowiły do ​​tej pory mniej niż 10% przychodów, ale założony cel może osiągnąć pod koniec 2022 lub na początku 2023 r., przekonuje Nanya.

Nanya wyda 300 mld dolarów tajwańskich (10,1 mld dolarów) na budowę nowej fabryki płytek 12-calowych. Wmurowanie kamienia węgielnego zaplanowano na 23 czerwca, co oznacza opóźnienie o 2-3 kwartały spowodowane przedłużającą się weryfikacją pozwolenia na budowę. Według Nanyi, rozpoczęcie masowej produkcji w nowej fabryce zostanie przesunięte z roku 2024 na 2025, a jej początkowa produkcja szacowana jest na 45 tys. płytek miesięcznie.

źródło: DigiTimes