![Komponenty GaN RF stają się poważną konkurencją dla tranzystorów krzemowych LDMOS i GaAs](/i/images/4/3/7/d2FjPTM3MHgxLjQ5OA==_src_41437-tytu.jpg)
Komponenty GaN RF stają się poważną konkurencją dla tranzystorów krzemowych LDMOS i GaAs
Półprzewodniki z azotku galu (GaN) do zastosowań w aplikacjach w.cz. dużej mocy zapewniają małe wymiary urządzeń i dużą sprawność. Dobre parametry takich przyrządów półprzewodnikowych ...