Diody prostownicze o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące

Firma STMicroelectronics powiększa ofertę podzespołów o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące o nowe diody prostownicze dużej mocy oraz nowe diody Schottky’ego.

Nowe diody prostownicze dużej mocy, dostępne w wersjach o napięciu przebicia 200 i 400 V, uzyskały kwalifikację ESCC (European Space Components Coordination). STTH40200C to wersja podwójna 200-woltowa o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 2 x 20 A, zamykana w obudowie TO-254AA. STTH60200C (200 V/2 x 30 A) i STTH60400 (pojedyncza 400 V/60 A) są zamykane w obudowach SMD1.

Nowe diody Schottky’ego o napięciach przebicia 45 i 150 V są odporne na uszkodzenia SEB (Single Effect Burnout) w zakresie energii do 61 MeV*cm²/mg (LET). Nadają się do bezpośredniej współpracy z szynami zasilania 100 V i 28 V stosowanymi w satelitach. Ich napięcia przewodzenia wynoszą maksymalnie 0,61 V dla wersji 45-woltowych oraz 0,78 V dla 150-woltowych.

Oferta diod Schottky’ego firmy STMicroelectronics z kwalifikacją ESCC obejmuje obecnie 5 diod podwójnych w konfiguracji ze wspólną katodą:

• STPS40A45C o napięciu przebicia 45 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia 2 x 20 A, zamykana w obudowie TO-254AA do montażu przewlekanego,
• STPS80A45C (45 V/2 x 40 A), STPS60A150C (150 V/2 x 30 A) i STPS80A150C (150 V/2 x 40 A), zamykane w hermetycznych obudowach SMD.5,
• STPS40A150C (150 V/2 x 20 A) w obudowie TO254AA.

Nowe diody prostownicze i Schottky’ego zapewniają odporność na całkowitą dawkę napromieniowania (TID) do 3 Mrad (Si). Ich spadek napięcia na złączu jest gwarantowany przez producenta dla czterech różnych wartości prądu przewodzenia, co pozwala na realizację różnych układów zasilania przy zastosowaniu jednego typu elementu. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101, potwierdzającą ich wysoką jakość wykonania i odporność na ciężkie warunki pracy.