Samsung zbuduje dużą fabrykę pamięci NAND flash w Chinach

Wtorek, 17 stycznia 2012 | Gospodarka Artykuły

Samsung Electronics otrzymał zezwolenie od południowokoreańskiego Ministerstwa Wiedzy i Gospodarki na budowę fabryki pamięci NAND flash w Chinach, przy założeniu, że ministerstwo zapewni wsparcie i zabezpieczenie przed wyciekiem strategicznych technologii. Samsung planuje wydać na nową fabrykę NAND flash około 4 mld dol. i chce ją uruchomić w II poł. 2013 r.

Samsung zbuduje dużą fabrykę pamięci NAND flash w Chinach

Fabryka ma operować na płytkach o wymiarze 300mm z wykorzystaniem procesu klasy 20nm. Zakładana produkcja to 100 tysięcy płytek miesięcznie, a więc dokładnie połowa docelowej wydajności nowej fabryki NAND flash Samsunga Line-16 w Korei Południowej, w której produkcję o skali 10 tysięcy płytek miesięcznie firma rozpoczęła we wrześniu 2011 r.

Marcin Tronowicz