wersja mobilna
Online: 462 Piątek, 2018.01.19

Biznes

Uruchomiono pierwszą chińską fabrykę tranzystorów IGBT

środa, 16 lipca 2014 07:50

Chiński producent półprzewodników - Zhuzhou CSR Times Electric Co - uruchomił zakład produkujący chipy IGBT. To pierwsze tego typu w Chinach, a drugie na świecie, wprowadzenie technologii opracowanej przez brytyjską spółkę zależną - Dynex Semiconductor. Nowy zakład, zbudowany kosztem 240 mln dolarów, będzie produkował układy IGBT dużej mocy, wykorzystując w tym celu ośmiocalowe płytki krzemowe. Linia produkcyjna powstawała ponad dwa lata.

Technologia stosowana w nowym obiekcie została opracowana w międzynarodowym centrum badawczo-rozwojowym CSR Zhuzhou R&D Centre, zlokalizowanym w siedzibie firmy Dynex w Lincoln. Centrum zostało utworzone w 2010 r. w celu opracowania wiodącej technologii półprzewodników mocy, w szczególności skoncentrowania działań na następnej generacji produktów IGBT.

Nowy zakład położony w Zhuzhou będzie, w pierwszej fazie działania, wytwarzał 120 tys. płytek krzemowych i 1 milion modułów IGBT rocznie. Tranzystory IGBT są kluczowymi elementami systemów o wysokiej efektywności konwersji energii elektrycznej, wykorzystywanych w napędach z regulacją prędkości, pociągach, pojazdach elektrycznych i hybrydowych, sieciach energetycznych i odnawialnych źródłach energii.

- Od czasu przejęcia Dynex przez CSR Times Electric w 2008 r. nastąpił szybki rozwój naszych zdolności produkcyjnych w zakresie elementów IGBT. Zaczęliśmy od płytek czterocalowych, następnie przeszliśmy do produkcji płytek 6-calowych w zakładzie w Lincoln. Potem rozwinęliśmy naszą technologię by wesprzeć inwestycję w nową fabrykę. Uzupełniło to bazę firmy w Wielkiej Brytanii, dając dostęp do zakładu produkcyjnego będącego światowym liderem 8-calowych płytek układów IGBT oraz linii montażowej o dużej wydajności - mówił dr Paul Taylor, prezes i dyrektor generalny Dynex.

- Nasz szybki rozwój się nie kończy. Nowa linia została wyposażona w najnowszy sprzęt, a następny etap ekspansji jest już zaplanowany. Jego celem są kluczowe rynki, takie jak automotive i odnawialnej energii elektrycznej. Tak więc, w naszym brytyjskim centrum badawczo-rozwojowym już pracuje się nad projektowaniem nowej generacji zaawansowanych urządzeń elektroenergetycznych z krzemu i z węglika krzemu - dodał Paul Taylor.

źródło: Drives & Controls

 

World News 24h

piątek, 19 stycznia 2018 20:04

Qualcomm’s bid for NXP has been approved by Korea and the EU. The acquisition has now received 8 of the 9 approvals around the world, with China remaining. Qualcomm cooperated with the Commission and the KFTC and agreed to all conditions required by the agencies to obtain their authorization. Qualcomm committed to exclude certain NFC patents from the proposed transaction and ensure that NXP licenses those patents to third parties. Qualcomm also committed not to assert the NFC patents it will acquire from NXP and maintain interoperability between Qualcomm’s baseband chipsets and NXP’s NFC chips and rivals baseband chipsets and NFC chips. Qualcomm also will continue to offer a license to MIFARE on terms commensurate with those offered by NXP today.

więcej na: www.electronicsweekly.com