Uruchomiono pierwszą chińską fabrykę tranzystorów IGBT

Chiński producent półprzewodników - Zhuzhou CSR Times Electric Co - uruchomił zakład produkujący chipy IGBT. To pierwsze tego typu w Chinach, a drugie na świecie, wprowadzenie technologii opracowanej przez brytyjską spółkę zależną - Dynex Semiconductor. Nowy zakład, zbudowany kosztem 240 mln dolarów, będzie produkował układy IGBT dużej mocy, wykorzystując w tym celu ośmiocalowe płytki krzemowe. Linia produkcyjna powstawała ponad dwa lata.

Posłuchaj
00:00

Technologia stosowana w nowym obiekcie została opracowana w międzynarodowym centrum badawczo-rozwojowym CSR Zhuzhou R&D Centre, zlokalizowanym w siedzibie firmy Dynex w Lincoln. Centrum zostało utworzone w 2010 r. w celu opracowania wiodącej technologii półprzewodników mocy, w szczególności skoncentrowania działań na następnej generacji produktów IGBT.

Nowy zakład położony w Zhuzhou będzie, w pierwszej fazie działania, wytwarzał 120 tys. płytek krzemowych i 1 milion modułów IGBT rocznie. Tranzystory IGBT są kluczowymi elementami systemów o wysokiej efektywności konwersji energii elektrycznej, wykorzystywanych w napędach z regulacją prędkości, pociągach, pojazdach elektrycznych i hybrydowych, sieciach energetycznych i odnawialnych źródłach energii.

- Od czasu przejęcia Dynex przez CSR Times Electric w 2008 r. nastąpił szybki rozwój naszych zdolności produkcyjnych w zakresie elementów IGBT. Zaczęliśmy od płytek czterocalowych, następnie przeszliśmy do produkcji płytek 6-calowych w zakładzie w Lincoln. Potem rozwinęliśmy naszą technologię by wesprzeć inwestycję w nową fabrykę. Uzupełniło to bazę firmy w Wielkiej Brytanii, dając dostęp do zakładu produkcyjnego będącego światowym liderem 8-calowych płytek układów IGBT oraz linii montażowej o dużej wydajności - mówił dr Paul Taylor, prezes i dyrektor generalny Dynex.

- Nasz szybki rozwój się nie kończy. Nowa linia została wyposażona w najnowszy sprzęt, a następny etap ekspansji jest już zaplanowany. Jego celem są kluczowe rynki, takie jak automotive i odnawialnej energii elektrycznej. Tak więc, w naszym brytyjskim centrum badawczo-rozwojowym już pracuje się nad projektowaniem nowej generacji zaawansowanych urządzeń elektroenergetycznych z krzemu i z węglika krzemu - dodał Paul Taylor.

źródło: Drives & Controls

Powiązane treści
Rynek IGBT rośnie wraz z rosnącą popularnością elektrycznych pojazdów
Nowe tranzystory MOSFET o prawie idealnej charakterystyce przełączania
Stale rośnie zapotrzebowanie na tranzystory mocy
Tranzystory IGBT - konkurencja dla MOSFET-ów i BJT
Tranzystory IGBT kontra MOSFET
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Aktualności
Weller Tools świętuje 80 lat innowacji
Produkcja elektroniki
SK hynix dołącza do Samsunga jako największy producent pamięci na świecie
Produkcja elektroniki
Microchip zawiera umowę partnerską z Delta Electronics w sprawie rozwiązań z węglika krzemu
Produkcja elektroniki
TSMC przebija prognozy i osiąga rekordowy kwartalny zysk w wysokości 13,5 mld dolarów
Projektowanie i badania
Cyborgi z czułkami – owady sterowane mikrochipem nową nadzieją dla ratownictwa
Aktualności
Power Integrations mianuje Jennifer Lloyd na stanowisko CEO
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Lipiec 2025
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów