Uruchomiono pierwszą chińską fabrykę tranzystorów IGBT

Chiński producent półprzewodników - Zhuzhou CSR Times Electric Co - uruchomił zakład produkujący chipy IGBT. To pierwsze tego typu w Chinach, a drugie na świecie, wprowadzenie technologii opracowanej przez brytyjską spółkę zależną - Dynex Semiconductor. Nowy zakład, zbudowany kosztem 240 mln dolarów, będzie produkował układy IGBT dużej mocy, wykorzystując w tym celu ośmiocalowe płytki krzemowe. Linia produkcyjna powstawała ponad dwa lata.

Posłuchaj
00:00

Technologia stosowana w nowym obiekcie została opracowana w międzynarodowym centrum badawczo-rozwojowym CSR Zhuzhou R&D Centre, zlokalizowanym w siedzibie firmy Dynex w Lincoln. Centrum zostało utworzone w 2010 r. w celu opracowania wiodącej technologii półprzewodników mocy, w szczególności skoncentrowania działań na następnej generacji produktów IGBT.

Nowy zakład położony w Zhuzhou będzie, w pierwszej fazie działania, wytwarzał 120 tys. płytek krzemowych i 1 milion modułów IGBT rocznie. Tranzystory IGBT są kluczowymi elementami systemów o wysokiej efektywności konwersji energii elektrycznej, wykorzystywanych w napędach z regulacją prędkości, pociągach, pojazdach elektrycznych i hybrydowych, sieciach energetycznych i odnawialnych źródłach energii.

- Od czasu przejęcia Dynex przez CSR Times Electric w 2008 r. nastąpił szybki rozwój naszych zdolności produkcyjnych w zakresie elementów IGBT. Zaczęliśmy od płytek czterocalowych, następnie przeszliśmy do produkcji płytek 6-calowych w zakładzie w Lincoln. Potem rozwinęliśmy naszą technologię by wesprzeć inwestycję w nową fabrykę. Uzupełniło to bazę firmy w Wielkiej Brytanii, dając dostęp do zakładu produkcyjnego będącego światowym liderem 8-calowych płytek układów IGBT oraz linii montażowej o dużej wydajności - mówił dr Paul Taylor, prezes i dyrektor generalny Dynex.

- Nasz szybki rozwój się nie kończy. Nowa linia została wyposażona w najnowszy sprzęt, a następny etap ekspansji jest już zaplanowany. Jego celem są kluczowe rynki, takie jak automotive i odnawialnej energii elektrycznej. Tak więc, w naszym brytyjskim centrum badawczo-rozwojowym już pracuje się nad projektowaniem nowej generacji zaawansowanych urządzeń elektroenergetycznych z krzemu i z węglika krzemu - dodał Paul Taylor.

źródło: Drives & Controls

Powiązane treści
Rynek IGBT rośnie wraz z rosnącą popularnością elektrycznych pojazdów
Nowe tranzystory MOSFET o prawie idealnej charakterystyce przełączania
Stale rośnie zapotrzebowanie na tranzystory mocy
Tranzystory IGBT - konkurencja dla MOSFET-ów i BJT
Tranzystory IGBT kontra MOSFET
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Optoelektronika
MIT rozwija przełomowe ultracienkie materiały do technologii noktowizyjnych
Aktualności
STMicroelectronics rozpoczyna restrukturyzację
Aktualności
Advantech wprowadzi na rynek systemy brzegowe AI następnej generacji
PCB
Siemens przejmuje DownStream Technologies
Komponenty
Navitas wprowadza pierwsze na świecie tranzystory SiC MOSFET z kwalifikacją AEC-Plus dla motoryzacji i przemysłu
Zasilanie
Infineon rozszerza ofertę modułów mocy EasyPACK CoolGaN dla aplikacji wysokonapięciowych
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Kwiecień 2025
Targi zagraniczne
Międzynarodowa wystawa i warsztaty na temat kompatybilności elektromagnetycznej EMV 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów