W poniedziałek 10 września 2014 r. Toshiba i SanDisk uroczyście uruchomiły drugą fazę produkcji półprzewodników w zakładzie Fab 5 oraz rozpoczęły budowę nowego zakładu - Fab 2. Toshiba zaczęła drugi etap budowy Fab 5 w sierpniu 2013 r., a następnie od lipca tego roku, wspólnie z SanDiskiem, nadzorowała instalację fabrycznych urządzeń. Produkcja pamięci w fazie drugiej, w 15-nanometrowym procesie technologicznym, ruszyła na początku bieżącego miesiąca. Firmy ogłosiły wdrożenie tej wspólnie opracowanej, najbardziej zaawansowanej na świecie technologii, w kwietniu tego roku.
Nowy zakład - Fab 2 - Toshiba buduje by zabezpieczyć miejsce do przejścia z produkcji pamięci 2D NAND do produkcji pamięci 3D NAND, z przewidywaną gotowością do przeprowadzenia zamiany w 2016 roku. Toshiba i SanDisk będą wspólnie instalować urządzenia produkcyjne oraz, dzięki dokładnemu monitorowaniu trendów rynkowych, określą zdolności produkcyjne, cele i harmonogramy.
źródło: Toshiba
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
