Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D

| Gospodarka

Firma Toshiba ogłosiła plany wyburzenia fabryki pamięci NAND flash Fab 2 w Yokkaichi i zastąpienia jej fabryką układów NAND flash 3D. Firma podpisała także z SanDiskiem memorandum, wyrażające obustronną wolę inwestycji w nową fabrykę układów pamięci 3D. Produkcja pamięci w zakładzie Fab 2 dobiegła końca w 2010 r., wyburzanie miało rozpocząć się w maju br., a budowa nowej fabryki ma ruszyć we wrześniu i potrwać - wraz z wykończeniem clean roomów - około roku.

Toshiba i SanDisk zastąpią fabrykę pamięci NAND 2D fabryką NAND 3D

Toshiba spodziewa się rozpoczęcia masowej produkcji pamięci 3D w drugiej połowie 2015 r. w sąsiednich zakładach Fab3 i Fab 4 w Yokkaichi. Następnie jej produkcja ma być podjęta w Fab 2.

Zobacz również