Chińska Tsinghua Unigroup 18 stycznia podpisała umowę z samorządem miejskim Nankin dotyczącą budowy zakładów produkujących układy DRAM i 3D NAND flash. Według planów nowa fabryka zajmie obszar około 100 ha, a łączna wartość inwestycji szacowana jest na blisko 30 mld dolarów. Tsinghua Unigroup początkowo wyda około 10 mld dolarów, chcąc zrealizować pierwszą fazę projektu i osiągnąć wielkość produkcji na poziomie 100 tys. jednostek miesięcznie. Inne szczegóły, w tym harmonogramy produkcji, nie zostały ujawnione.
Cytowany w ostatnich doniesieniach przewodniczący Tsinghua Unigroup Zhao Weiguo zapowiadał, że firma planuje zbudować półprzewodnikowe zakłady produkcyjne w Wuhan, Chengdu i Nankin, inwestując łącznie 70 mld dolarów.
źródło: DigiTimes
» Tsinghua zbuduje największą na świecie fabrykę 3D NAND Flash
» Ceny DRAM poszybują w górę
» Pamięci DDR5 będą w 2018 roku dwukrotnie szybsze niż generacja DDR4
» Rohde & Schwarz utworzy w Chinach laboratorium 5G
» Tsinghua Unigroup chce zbudować własną fabrykę układów DRAM
» Tsinghua Unigroup zainwestuje 47 mld dolarów w budowę półprzewodnikowego imperium
» Tsinghua Unigroup kieruje uwagę na rynek SSD
G.Skill announced the availability of new, higher-speed memory kits in its AMD-version Trident Z and Sniper X product lines. The first is now available in speeds up to 3600MHz, and the second in speeds up to 3466MHz. It should be noted that this announcement only applies to G.Skill’s AMD-specific memory kits. The company already offers memories at and beyond these speeds, but they’re not guaranteed to work with AMD’s Ryzen and Threadripper processors. The maximum default memory speed on X470 is 2933MHz, but our own overclocking managed to bring that to 3466MHz.
więcej na: www.tomshardware.com
