Chińska Tsinghua Unigroup 18 stycznia podpisała umowę z samorządem miejskim Nankin dotyczącą budowy zakładów produkujących układy DRAM i 3D NAND flash. Według planów nowa fabryka zajmie obszar około 100 ha, a łączna wartość inwestycji szacowana jest na blisko 30 mld dolarów. Tsinghua Unigroup początkowo wyda około 10 mld dolarów, chcąc zrealizować pierwszą fazę projektu i osiągnąć wielkość produkcji na poziomie 100 tys. jednostek miesięcznie. Inne szczegóły, w tym harmonogramy produkcji, nie zostały ujawnione.
Cytowany w ostatnich doniesieniach przewodniczący Tsinghua Unigroup Zhao Weiguo zapowiadał, że firma planuje zbudować półprzewodnikowe zakłady produkcyjne w Wuhan, Chengdu i Nankin, inwestując łącznie 70 mld dolarów.
źródło: DigiTimes
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
