Firma Samsung Electronics zamierza aż 30-krotnie zwiększyć produkcję wysoko wydajnych chipów DRAM dla procesorów AI oraz serwerów i dostarczać je przede wszystkim kluczowym klientom, czyli firmom Intel i Nvidia. Samsung produkował już chipy za pomocą technologii TSV (through-silicon via technology), czyli wysokowydajnej techniki stosowanej przy wytwarzaniu układów 3-D. Źródła informują, że Samsung zamówił niedawno 20 maszyn stanowiących najważniejsze wyposażenie linii produkcyjnej TSV.
Firma Samsung i jej dostawca sprzętu zmodernizowali obecne maszyny stosując w nich osiem głowic. Biorąc pod uwagę, że producent używał dotąd pięciu maszyn z jedną głowicą, oczekuje się, że ogólna wydajność wzrośnie od obecnego poziomu ponad 30 razy.
Samsung zamierza zastosować ulepszoną technologię do produkcji chipów HBM2 i 3DS DRAM. Od przyszłego roku dostarczać będzie miesięcznie około miliona sztuk każdego z układów.
Układ HBM2 oferuje niemal ośmiokrotnie większą prędkość przetwarzania w porównaniu do najszybszego obecnie chipa GDDR5. Jest on stosowany w najnowszych procesorach Intela i Nvidii, aby wspierać sztuczną inteligencję i procesy uczenia maszynowego.
źródło: The Investor - The Korea Herald
» Samsung zainwestuje 22 mld dolarów w sektor IC
» Samsung otworzył w Warszawie centrum innowacji dla biznesu
» Samsung po raz pierwszy od 24 lat gotowy do pokonania Intela
» Samsung planuje zainwestować w Korei Południowej 18,6 mld dolarów
» Samsung zastąpił Intela w roli największego producenta chipów
» Rośnie liczba fuzji i przejęć w sektorze AI
» Sprzedaż Samsunga w Chinach wzrosła w pierwszej połowie 2017 roku o 14%
» Samsung uruchamia inkubator dla startupów
» Samsung zakończył testy 10 nm technologii drugiej generacji
imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.
więcej na: www.imec-int.com
