Sanan Optoelectronics inwestuje 1,7 mld dolarów w centrum technologii LED
| Gospodarka OptoelektronikaWedług źródeł branżowych, chińska firma Sanan Optoelectronics, specjalizująca się w produkcji epitaksjalnych płytek półprzewodnikowych i chipów LED, buduje w środkowych Chinach centrum badawczo-rozwojowe mini- i mikroLED, inwestując 12 mld juanów, czyli 1,7 mld dolarów. Obiekt o łącznej powierzchni ok. 478 tys. m² będzie wykorzystywany do badań i rozwoju układów LED GaN i GaAs oraz wyświetlaczy 4K.
Sanan planuje utrzymać roczne moce produkcyjne na poziomie 1,61 mln mini- i mikroLED GaN, 750 tys. tego typu chipów GaAs oraz 84 tys. wyświetlaczy 4K. Na produkcyjny segment GaN przypadać ma 720 tys. mini- i 90 tys. mikrochipów emitujących światło niebieskie oraz 720 tys. mini- i 80 tys. emiterów światła zielonego, natomiast na segment GaAs przypadnie 660 tys. mini- i 90 tys. mikroledów czerwonych.
Firma nie ujawnia terminu rozpoczęcia produkcji komponentów LED z materiałów GaN i GaAs, co wynika z niepewności związanej z badaniami i rozwojem technologii mikroLED. Źródła informują, że przy opracowywaniu tej technologii przedstawiciel Sanan współpracował z firmą Samsung Electronics.
źródło: DigiTimes
