Szacuje się, że wartość rynku, wynosząca w 2017 r. około 330 mln dolarów, wzrośnie dziesięciokrotnie do roku 2026. Prototypowy laser jest częścią projektu opracowania technologii i uruchomienia produkcji materiałów półprzewodnikowych III-V na bazie arsenku galu (GaAs) i fosforku indu (InP), jak również opracowania własnej technologii produkcji laserów VCSEL przez wymienione konsorcjum. Projekt badawczo-rozwojowy o budżecie 16,3 mln zł jest współfinansowany z dotacji publicznej o wartości 12,4 mln zł, przyznanej przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju.
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
