ROHM przenosi epitaksję GaN do własnego zakładu
Japoński dostawca półprzewodników mocy ROHM Semiconductor rozwija zdolności produkcyjne w zakresie technologii GaN w ramach nowego partnerstwa z niemieckim producentem urządzeń AIXTRON. Współpraca zakłada wdrożenie w zakładzie ROHM w Hamamatsu procesu epitaksji azotku galu z wykorzystaniem platformy depozycyjnej G10-GaN.
System jest już przygotowywany do produkcji wolumenowej 8-calowych wafli epitaksjalnych GaN. Mają one być wykorzystywane w dwóch platformach układów mocy: 650 V oraz 100 V. Według informacji przekazanych przez firmy, inwestycja wpisuje się w rosnące zapotrzebowanie na moce produkcyjne w obszarze GaN, napędzane przez infrastrukturę sztucznej inteligencji oraz rynek pojazdów elektrycznych.
Dotychczas ROHM zlecał produkcję swoich układów GaN 650 V zewnętrznym foundry. Przeniesienie epitaksji do własnego zakładu ma zapewnić firmie większą kontrolę nad jakością wafli, harmonogramem produkcji oraz parametrami urządzeń. Ma też ograniczyć zależność od dostawców zewnętrznych.
GaN w zasilaniu centrów danych i pojazdów elektrycznych
ROHM rozwija portfolio produktów EcoGaN z myślą o zastosowaniach takich jak zasilacze serwerowe, ładowarki pokładowe, konwertery DC-DC oraz moduły regulacji napięcia VRM. Firma wskazuje, że jej tranzystory GaN HEMT 650 V są przeznaczone m.in. do infrastruktury centrów danych AI oraz układów napędowych pojazdów elektrycznych. Z kolei rozwiązania 100 V mają być wykorzystywane w akceleratorach AI i platformach obliczeniowych GPU.
Wymienione aplikacje stawiają wysokie wymagania w zakresie gęstości mocy, parametrów cieplnych i sprawności. Są to obszary, w których układy GaN coraz częściej zastępują rozwiązania oparte na krzemie.
Jak podkreślił Yasushi Hamazawa, Executive Officer w ROHM Semiconductor, system G10-GaN firmy AIXTRON łączy sprawdzoną technologię, skalowalność i model współpracy potrzebny ROHM do rozwoju w segmencie układów mocy GaN. Dodał, że AIXTRON dysponuje zaawansowaną technologią wzrostu epitaksjalnego i współpracuje z ROHM przy optymalizacji procesów oraz długoterminowej mapie rozwoju technologii. Według przedstawiciela ROHM współpraca ma istotne znaczenie dla wzmocnienia konkurencyjności produktów i spełnienia rosnących wymagań klientów z obszaru AI i motoryzacji.
Większa kontrola nad łańcuchem dostaw
Partnerstwo ROHM i AIXTRON nie ogranicza się do dostawy urządzeń produkcyjnych. Firmy deklarują współpracę przy optymalizacji procesów oraz dalszym rozwoju technologii. AIXTRON informuje, że platforma G10-GaN została zaprojektowana do wysokowolumenowej epitaksji GaN-on-silicon i zapewnia przepustowość oraz jednorodność potrzebne do produkcji zaawansowanych układów mocy o wysokim napięciu przebicia i niskiej rezystancji w stanie przewodzenia.
W ocenie AIXTRON decyzja ROHM odzwierciedla szerszy trend w branży, polegający na zwiększaniu kontroli nad produkcją półprzewodników złożonych. Dr Felix Grawert, CEO AIXTRON SE, stwierdził, że przeniesienie epitaksji GaN do własnych struktur produkcyjnych ROHM na platformie G10-GaN pokazuje istotną zmianę w sposobie zabezpieczania łańcuchów dostaw przez czołowych producentów układów. Jak dodał, połączenie doświadczenia procesowego AIXTRON z technologią urządzeń ROHM ma przyspieszyć szersze wykorzystanie energoelektroniki GaN.
Rynek układów mocy GaN ma rosnąć
Współpraca obu firm pokazuje rosnące znaczenie integracji pionowej w produkcji półprzewodników złożonych. Dla producentów układów mocy kontrola nad procesem epitaksji może mieć znaczenie zarówno z punktu widzenia jakości i powtarzalności produkcji, jak i zdolności do dostosowywania technologii do wymagań konkretnych platform urządzeń.
ROHM i AIXTRON zakładają, że przyjęta strategia pomoże japońskiej firmie w długoterminowym rozwoju na rynku układów mocy GaN. Według informacji podanych w materiale źródłowym, wartość tego rynku ma osiągnąć około 3 mld dolarów do 2030 roku.
Źródło: EE News Europe
